[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111190682.3
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN114944363A
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 金昊俊;樸范琎;裵東一;米爾科·康托爾
• 申請（專利權(quán)）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;尹淑梅

公開了半導(dǎo)體裝置。所述半導(dǎo)體裝置包括多個柵極結(jié)構(gòu)和多個分離圖案，多個柵極結(jié)構(gòu)在基底上沿第一方向彼此間隔開并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸，多個分離圖案分別穿透多個柵極結(jié)構(gòu)中的緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)。多個分離圖案中的每個將緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)中的對應(yīng)的一個柵極結(jié)構(gòu)分離成在第二方向上彼此間隔開的一對柵極結(jié)構(gòu)。多個分離圖案沿著第一方向彼此間隔開并且對齊。

本申請要求于2021年2月16日在韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2021-0020472號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)，該韓國專利申請的公開內(nèi)容通過引用全部包含于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及半導(dǎo)體裝置和/或其制造方法，更具體地，涉及包括場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體裝置和/或其制造方法。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體裝置包括由金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成的集成電路。隨著半導(dǎo)體裝置的尺寸和設(shè)計規(guī)則逐漸減小，MOSFET的尺寸也逐漸縮小。MOSFET的縮小會使半導(dǎo)體裝置的操作特性劣化。因此，已經(jīng)進(jìn)行了各種研究以制造具有優(yōu)異性能的半導(dǎo)體裝置，同時克服了由于半導(dǎo)體裝置的集成而導(dǎo)致的限制。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明構(gòu)思的一些實例實施例提供能夠防止或減輕圖案中缺陷的發(fā)生的半導(dǎo)體裝置和/或其制造方法。

本發(fā)明構(gòu)思的一些示例實施例提供了具有改善的電特性的半導(dǎo)體裝置和/或其制造方法。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種半導(dǎo)體裝置包括：多個柵極結(jié)構(gòu)，位于基底上，所述多個柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；以及多個分離圖案，分別穿透所述多個柵極結(jié)構(gòu)中的緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)。所述多個分離圖案中的每個將相鄰的柵極結(jié)構(gòu)中的對應(yīng)的一個柵極結(jié)構(gòu)分離成在第二方向上彼此間隔開的一對柵極結(jié)構(gòu)。所述多個分離圖案沿著第一方向彼此間隔開并且對齊。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種半導(dǎo)體裝置包括：多個柵極結(jié)構(gòu)，位于基底上，所述多個柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；多個分離圖案，分別穿透所述多個柵極結(jié)構(gòu)中的緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)，所述多個分離圖案沿著第一方向彼此對齊；以及下介電層，位于所述多個分離圖案之間。所述多個分離圖案橫跨下介電層在第一方向上彼此間隔開。所述多個柵極結(jié)構(gòu)中的每個包括柵電極和在柵電極的頂表面上的柵極覆蓋圖案。下介電層的最上表面的高度等于或高于柵極覆蓋圖案的最上表面的高度。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例，一種制造半導(dǎo)體裝置的方法包括：在基底上形成多個柵極結(jié)構(gòu)，使得所述多個柵極結(jié)構(gòu)在第一方向上彼此間隔開并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；在所述多個柵極結(jié)構(gòu)上形成掩模層；在掩模層上形成多個阻擋掩模圖案，使得所述多個阻擋掩模圖案在第一方向上彼此間隔開并且在第二方向上延伸，所述多個阻擋掩模圖案與所述多個柵極結(jié)構(gòu)之間的下層間介電層豎直疊置；在所述多個阻擋掩模圖案上形成具有開口的初步切割掩模圖案，所述開口在第一方向上延伸，跨過所述多個柵極結(jié)構(gòu)中的緊鄰的柵極結(jié)構(gòu)，并且暴露所述多個阻擋掩模圖案的部分；通過使用初步切割掩模圖案和所述多個阻擋掩模圖案作為蝕刻掩模來對掩模層進(jìn)行圖案化，以形成具有在第一方向上彼此間隔開的多個孔的切割掩模圖案，所述多個孔分別與相鄰的柵極結(jié)構(gòu)豎直疊置；以及通過使用切割掩模圖案作為蝕刻掩模來形成分別穿透相鄰的柵極結(jié)構(gòu)的多個通孔。

附圖說明

圖1例示了示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的半導(dǎo)體裝置的平面圖。

圖2A、圖2B和圖2C分別例示了沿著圖1的線I-I'、II-II'和III-III'截取的剖視圖。

圖3、圖5、圖7、圖9、圖11、圖13、圖15、圖17和圖19例示了示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例實施例的制造半導(dǎo)體裝置的方法的平面圖。

圖4A、圖6A、圖8A、圖10A、圖12A、圖14A、圖16A、圖18A和圖20A分別例示了沿著圖3、圖5、圖7、圖9、圖11、圖13、圖15、圖17和圖19的線I-I'截取的剖視圖。