[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202111190682.3
• 申請日: 2021-10-13
• 公開（公告）號: CN114944363A
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 金昊俊;樸范琎;裵東一;米爾科·康托爾
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 劉美華;尹淑梅

1.一種半導體裝置，所述半導體裝置包括：

多個柵極結構，位于基底上，所述多個柵極結構在第一方向上彼此間隔開并且在與第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

多個分離圖案，分別穿透所述多個柵極結構中的緊鄰的柵極結構，

其中，所述多個分離圖案中的每個將所述緊鄰的柵極結構中的對應的一個柵極結構分離成在第二方向上彼此間隔開的一對柵極結構，并且

其中，所述多個分離圖案沿著第一方向彼此間隔開并且對齊。

2.如權利要求1所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

下介電層，位于所述多個柵極結構之間并且在所述多個分離圖案之間延伸，

其中，所述多個柵極結構中的每個包括：柵電極，在第二方向上延伸；以及柵極覆蓋圖案，位于柵電極的頂表面上，并且

其中，所述多個分離圖案之間的下介電層的最上表面的高度等于或高于柵極覆蓋圖案的頂表面的高度。

3.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，所述多個分離圖案中的每個的最上表面的高度等于或高于柵極覆蓋圖案的頂表面的高度。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，所述多個分離圖案中的每個的最上表面的高度等于所述多個分離圖案之間的下介電層的最上表面的高度。

5.如權利要求2所述的半導體裝置，其中，

所述多個柵極結構中的每個還包括：柵極介電圖案，沿著柵電極的底表面延伸；以及一對柵極間隔件，分別位于柵電極的相對側表面上，并且

所述多個分離圖案中的每個穿透包括在所述緊鄰的柵極結構中的對應的一個柵極結構中的柵極覆蓋圖案、柵電極和柵極介電圖案。

6.如權利要求5所述的半導體裝置，其中，包括在所述緊鄰的柵極結構中的每個柵極結構中的所述一對柵極間隔件分別延伸到所述多個分離圖案中的對應的一個分離圖案的側表面上。

7.如權利要求5所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

多個有源圖案，在基底上沿第一方向延伸并且在第二方向上彼此間隔開；以及

器件隔離圖案，位于所述多個有源圖案之間，

其中，所述多個柵極結構位于所述多個有源圖案和器件隔離圖案上并且跨過所述多個有源圖案和器件隔離圖案，并且

其中，所述多個分離圖案位于器件隔離圖案上。

8.如權利要求2所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

多個源極/漏極圖案，位于基底上并且位于所述多個柵極結構中的每個的相對側上；以及

多個第一接觸件，位于所述多個柵極結構中的每個的相對側上并且分別連接到所述多個源極/漏極圖案中的對應的源極/漏極圖案，

其中，所述多個第一接觸件中的至少一個在所述多個分離圖案之間延伸并且穿透所述多個分離圖案之間的下介電層。

9.如權利要求8所述的半導體裝置，其中，所述多個第一接觸件中的每個的最上表面的高度高于所述多個分離圖案中的每個的最上表面的高度。

10.如權利要求8所述的半導體裝置，所述半導體裝置還包括：

上介電層，位于下介電層上，上介電層覆蓋所述多個柵極結構和所述多個分離圖案，

其中，所述多個第一接觸件中的每個穿透上介電層和下介電層。

11.如權利要求1至權利要求10中的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述多個分離圖案中的每個具有在第一方向上的第一寬度，并且

多個分離圖案中的奇數編號的分離圖案的第一寬度與所述多個分離圖案中的偶數編號的分離圖案的第一寬度不同。

12.如權利要求1至權利要求10中的任一項所述的半導體裝置，其中，

所述多個分離圖案分別具有在所述第一方向上的第一寬度，

其中，所述多個分離圖案的第一寬度彼此相等。