[發(fā)明專利]帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)和制造方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111175740.5 | 申請日： | 2021-10-09 |
| 公開（公告）號： | CN113830724A | 公開（公告）日： | 2021-12-24 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 丁希聰;凌方舟;儲莉玲;蔣樂躍 | 申請（專利權(quán)）人： | 美新半導(dǎo)體（無錫）有限公司 |
| 主分類號： | B81B7/00 | 分類號： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 蘇州簡理知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32371 | 代理人： | 龐聰雅 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 帶腔體 器件 氣密 封裝 結(jié)構(gòu) 制造 方法 | ||
1.一種帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，其包括：
半導(dǎo)體部件；
蓋板；
鍵合層，其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間，以將所述半導(dǎo)體部件和蓋板鍵合在一起；
第一腔體，其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間，且被所述鍵合層圍繞并被部分密封；
第二腔體，其位于所述半導(dǎo)體部件和蓋板之間，且所述第二腔體位于所述第一腔體的一側(cè)，所述第二腔體被所述鍵合層圍繞并被部分密封；
若干第一通孔，其貫穿所述蓋板至第一腔體；
若干第二通孔，其貫穿所述蓋板至第二腔體；
第一密封層，其設(shè)置于所述蓋板遠(yuǎn)離所述半導(dǎo)體部件的一側(cè)表面，以密封所述若干第一通孔，使所述第一腔體完全密封；
第二密封層，其設(shè)置于所述第一密封層遠(yuǎn)離所述蓋板的一側(cè)表面，以密封所述若干第二通孔，使所述第二腔體完全密封。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
完全密封的所述第一腔體內(nèi)的氣壓和完全密封的所述第二腔體內(nèi)的氣壓不同；和/或
完全密封的所述第一腔體內(nèi)的氣體成分和完全密封的所述第二腔體內(nèi)的氣體成分不同；和/或
所述第一腔體內(nèi)的第一微機(jī)電系統(tǒng)器件和所述第二腔體內(nèi)的第二微機(jī)電系統(tǒng)器件不同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述蓋板還包括形成于所述蓋板的第一表面的第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和第二凹槽沿所述蓋板的第一表面間隔排布；
所述半導(dǎo)體部件還包括位于所述半導(dǎo)體部件的第一表面的第一微機(jī)電系統(tǒng)器件和第二微機(jī)電系統(tǒng)器件，所述第一微機(jī)電系統(tǒng)器件和第二微機(jī)電系統(tǒng)器件沿所述半導(dǎo)體部件的第一表面間隔排布；
所述第一凹槽與所述第一微機(jī)電系統(tǒng)器件所在區(qū)域的所述半導(dǎo)體部件的第一表面扣合，以形成第一腔體，所述第一微機(jī)電系統(tǒng)器件收容于所述第一腔體內(nèi)；所述第二凹槽與所述第二微機(jī)電系統(tǒng)器件所在區(qū)域的所述半導(dǎo)體部件的第一表面扣合，以形成第二腔體，所述第二微機(jī)電系統(tǒng)器件收容于所述第二腔體內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
收容于所述第一腔體內(nèi)的第一微機(jī)電系統(tǒng)器件為陀螺儀；
收容于所述第二腔體內(nèi)的第二微機(jī)電系統(tǒng)器件為加速度計。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一密封層是在第一封裝環(huán)境下沉積于所述蓋板上的，其用于密封所述若干第一通孔，使所述第一腔體完全密封；
所述第二密封層是在第二封裝環(huán)境下沉積于所述第一密封層上的，其用于密封所述若干第二通孔，使所述第二腔體完全密封；
通過調(diào)整第一封裝環(huán)境的氣體氣壓和氣體成分來調(diào)整完全密封的所述第一腔體的氣體氣壓和氣體成分；通過調(diào)整第二封裝環(huán)境的氣體氣壓和氣體成分來調(diào)整完全密封的所述第二腔體的氣體氣壓和氣體成分。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
所述第一密封層為第一氧化硅薄膜；
所第二密封層為第二氧化硅薄膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的帶腔體器件的氣密封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，
采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法形成第一氧化硅薄膜；
采用常壓化學(xué)氣相淀積工藝形成第二氧化硅薄膜。
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