[發(fā)明專利]一種寬壓輸入信號(hào)的抗輻射加固邏輯輸入電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111170933.1
• 申請(qǐng)日: 2021-10-08
• 公開（公告）號(hào): CN113938122B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 羅凱;廖鵬飛;徐青;高興國;季睿;何泓威;蔡麗娜
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第二十四研究所
• 主分類號(hào): H03K19/003
• 分類號(hào): H03K19/003
• 代理公司: 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215
• 代理人: 王海軍

1.一種寬壓輸入信號(hào)的抗總劑量加固邏輯輸入電路，其特征在于，包括主電路和輔助電路，所述主電路包括電阻、兩個(gè)N型LDMOS管以及兩個(gè)反相器，電阻的一端連接輸入信號(hào)IN，電阻的另一端連接兩個(gè)N型LDMOS管的漏極，兩個(gè)N型LDMOS管的柵極連接電源VDD，其中第一N型LDMOS管的襯底與源極短接后與第二N型LDMOS管的襯底相連，第二N型LDMOS管的源極連接第一反相器INV1輸入端和第三反相器INV3輸出端，第一反相器INV1輸出端接第三反相器INV3輸入端和輸出信號(hào)OUT，第三反相器INV3輸出端連接到第二N型LDMOS管的源極；所述輔助電路包括兩個(gè)反相器，第二反相器INV2輸入端與第一反相器INV1輸出端相連，第四反相器INV4兩輸入端分別與第二反相器INV2和第三反相器INV3輸出端相連，第四反相器INV4輸出端連接第一反相器INV1輸出端和輸出信號(hào)OUT；每個(gè)反相器至少包括一對(duì)MOS管，每對(duì)MOS管中包含一個(gè)NMOS管和一個(gè)PMOS管，每對(duì)MOS管的柵極作為輸入端，PMOS管和NMOS管相連的漏極作為輸出端，最外側(cè)PMOS管的源極連接電源VDD，最外側(cè)NMOS管的源極連接地GND。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種寬壓輸入信號(hào)的抗總劑量加固邏輯輸入電路，其特征在于，所述第四反相器為一個(gè)受控制信號(hào)控制的反相器，即內(nèi)側(cè)PMOS管和內(nèi)側(cè)NMOS管作為反相器，外側(cè)PMOS管和外側(cè)NMOS管作為控制電路；當(dāng)所述控制電路輸入為低電平時(shí)，內(nèi)側(cè)PMOS管和內(nèi)側(cè)NMOS管構(gòu)成的反相器輸入低電平有效；所述控制電路輸入為高電平時(shí)，內(nèi)側(cè)PMOS管和內(nèi)側(cè)NMOS管構(gòu)成的反相器輸入高電平有效。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種寬壓輸入信號(hào)的抗總劑量加固邏輯輸入電路，其特征在于，所述第四反相器包括兩對(duì)MOS管，內(nèi)側(cè)PMOS管和NMOS管的柵極作為第四反相器的一個(gè)輸入端，外側(cè)PMOS管和NMOS管的柵極作為第四反相器的另一個(gè)輸入端，并將內(nèi)側(cè)PMOS管和NMOS管的漏極作為第四反相器的輸出端；內(nèi)側(cè)PMOS管的源極連接外側(cè)PMOS管的漏極，內(nèi)側(cè)NMOS管的源極連接外側(cè)NMOS管的漏極。