[發明專利]緊固構造、等離子體處理裝置以及緊固方法在審
| 申請號: | 202111170300.0 | 申請日: | 2021-10-08 |
| 公開(公告)號: | CN114373666A | 公開(公告)日: | 2022-04-19 |
| 發明(設計)人: | 阿部純一;山田洋平 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01J37/32 | 分類號: | H01J37/32 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 緊固 構造 等離子體 處理 裝置 以及 方法 | ||
1.一種緊固構造,其對構成基板處理裝置的第1構件和第2構件進行緊固,其中,
所述第1構件具有內螺紋部,
所述第2構件具有與所述內螺紋部對應的貫通孔和與該貫通孔連續并具有比所述貫通孔的直徑大的直徑的沉孔部,
該緊固構造包括:
緊固螺紋件,其具有貫穿于所述貫通孔并與所述內螺紋部螺紋結合的外螺紋部和與該外螺紋部的端部連續的螺紋件頭部;以及
平墊圈,其嵌合于所述沉孔部,供所述外螺紋部貫穿,
至少所述螺紋件頭部的與所述平墊圈相對的第1面和所述平墊圈的與所述螺紋件頭部相對的第2面中的任一者或兩者利用潤滑材料覆蓋。
2.根據權利要求1所述的緊固構造,其中,
所述內螺紋部與所述貫通孔以及所述沉孔部之間的相對的位置在所述基板處理裝置的基板處理時和該基板處理時以外時不同。
3.根據權利要求1或2所述的緊固構造,其中,
所述緊固螺紋件的所述螺紋件頭部在所述外螺紋部側端具有凸緣。
4.根據權利要求3所述的緊固構造,其中,
所述平墊圈作為平墊圈部而與接合于所述平墊圈的周緣部的筒狀的側壁構件一起構成螺栓罩,在所述側壁構件的內壁部配置有防脫落構件,通過所述防脫落構件與所述凸緣卡合,從而防止所述螺栓罩自所述緊固螺紋件脫落。
5.根據權利要求1~4中任一項所述的緊固構造,其中,
所述潤滑材料的覆蓋是含有聚四氟乙烯的化學鍍鎳。
6.一種等離子體處理裝置,其對基板進行等離子體處理,其中,
該等離子體處理裝置包括第1構件和第2構件,該第1構件和第2構件是該等離子體處理裝置的結構構件,且被互相緊固,
所述第1構件具有內螺紋部,
所述第2構件具有與所述內螺紋部對應的貫通孔和與該貫通孔連續并具有比所述貫通孔的直徑大的直徑的沉孔部,
該等離子體處理裝置還包括:
緊固螺紋件,其具有貫穿于所述貫通孔并與所述內螺紋部螺紋結合的外螺紋部和與該外螺紋部的端部連續的螺紋件頭部;以及
平墊圈,其嵌合于所述沉孔部,供所述外螺紋部貫穿,
至少所述螺紋件頭部的與所述平墊圈相對的第1面和所述平墊圈的與所述螺紋件頭部相對的第2面中的至少一者或兩者利用潤滑材料覆蓋。
7.根據權利要求6所述的等離子體處理裝置,其中,
該等離子體處理裝置包括噴頭,該噴頭向作為等離子體處理的處理對象的基板所位于的處理空間供給處理氣體,
該噴頭由基部構件和噴淋板構成,所述第1構件為所述基部構件,所述第2構件為所述噴淋板。
8.根據權利要求6或7所述的等離子體處理裝置,其中,
所述緊固螺紋件的所述螺紋件頭部在所述第1面的一側具有凸緣。
9.根據權利要求8所述的等離子體處理裝置,其中,
所述平墊圈作為平墊圈部而與接合于所述平墊圈的周緣部的筒狀的側壁構件一起構成螺栓罩,在所述側壁構件的內壁部配置有防脫落構件,通過所述防脫落構件與所述凸緣卡合,從而防止所述螺栓罩自所述緊固螺紋件脫落。
10.根據權利要求6~9中任一項所述的等離子體處理裝置,其中,
所述潤滑材料的覆蓋是含有聚四氟乙烯的化學鍍鎳。
11.一種緊固方法,其對構成基板處理裝置的第1構件和第2構件進行緊固,其中,
所述第1構件具有內螺紋部,
所述第2構件具有與所述內螺紋部對應的貫通孔和與該貫通孔連續并具有比所述貫通孔的直徑大的直徑的沉孔部,
該緊固方法包含以下工序:
將平墊圈以與所述沉孔部嵌合的方式配置于該沉孔部內;以及
將具有螺紋件頭部的緊固螺紋件的自所述螺紋件頭部連續的外螺紋部貫穿于所述沉孔部內的平墊圈和所述貫通孔并與所述內螺紋部螺紋結合,
至少所述螺紋件頭部的與所述平墊圈相對的第1面和所述平墊圈的與所述螺紋件頭部相對的第2面中的至少任一者或兩者利用潤滑材料覆蓋。
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