[發(fā)明專利]一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管

在審

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• 申請日: 2021-10-08
• 公開（公告）號: CN113871366A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 彭鈺
• 申請（專利權(quán)）人: 彭鈺
• 主分類號: H01L23/495
• 分類號: H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

本發(fā)明涉及開關(guān)管技術(shù)領(lǐng)域，且公開了一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，包括封裝外殼，所述封裝外殼的內(nèi)部設(shè)置有第一基島、第二基島、第三基島和第四基島，所述第一基島的正面設(shè)置有碳化硅芯片，所述第二基島的正面設(shè)置有硅基MOS芯片，所述第一基島、第二基島、第三基島和第四基島的側(cè)表面均設(shè)置有外接引腳。該芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，通過將碳化硅芯片安裝在第一基島的正面，從而可以將其安裝在尺寸較小的DFN5060封裝內(nèi)部，進而實現(xiàn)將產(chǎn)品進行小型化。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及開關(guān)管技術(shù)領(lǐng)域，具體為一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管。

背景技術(shù)

功率開關(guān)管能承受較大電流，漏電流較小，在一定條件下有較好飽和導(dǎo)通及截止特性，可不太考慮其放大性能，其控制極與基極電流大小或方向有關(guān)電流經(jīng)集電極和發(fā)射極，方向具體要看是NPN還是PNP管，場效應(yīng)管一般做電子開關(guān)用，控制與極性有關(guān)。

因DFN5060封裝的尺寸較小，且DFN5060封裝的小尺寸符合電源產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢，但是現(xiàn)有高壓硅MOS(特指600V以上耐壓，內(nèi)阻小于400mohm的MOS)的晶圓面積較大，無法放進該封裝內(nèi)部，因此需要提出一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管來解決上述所出現(xiàn)的問題。

發(fā)明內(nèi)容

(一)解決的技術(shù)問題

針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供了一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，具備將碳化硅芯片安裝在基島上，進而可以將其裝入尺寸較小的DFN5060封裝內(nèi)部，進而可以符合電源產(chǎn)品小型化的發(fā)展趨勢等優(yōu)點，解決了現(xiàn)有高壓硅MOS的晶圓面積較大，無法放進該封裝內(nèi)部的問題。

(二)技術(shù)方案

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，包括封裝外殼，所述封裝外殼的內(nèi)部設(shè)置有第一基島、第二基島、第三基島和第四基島，所述第一基島的正面設(shè)置有碳化硅芯片，所述第二基島的正面設(shè)置有硅基MOS芯片，所述第一基島、第二基島、第三基島和第四基島的側(cè)表面均設(shè)置有外接引腳。

優(yōu)選的，所述第一基島位于封裝外殼內(nèi)部的右側(cè)，所述第二基島、第三基島和第四基島均位于封裝外殼內(nèi)部的左側(cè)，所述第一基島位于第二基島的右側(cè)，通過該排列方式，從而便于將其裝入封裝外殼內(nèi)部。

優(yōu)選的，所述第一基島的右側(cè)設(shè)置有四個外接引腳，所述第二基島的左側(cè)設(shè)置有兩個外接引腳，所述第三基島和第四基島的左側(cè)均設(shè)置有一個外接引腳，通過外接引腳可以將基島與外部的電子元件進行連通。

優(yōu)選的，所述碳化硅芯片通過連接線與第二基島和第四基島連接，所述硅基MOS芯片通過連接線與第三基島和第四基島連接，所述連接線材質(zhì)采用銅線或鋁線，所述第一基島、第二基島、第三基島和第四基島均采用可導(dǎo)電金屬材質(zhì)，進而通過連接線可以將基島與碳化硅芯片和硅基MOS芯片連通。

優(yōu)選的，所述外接引腳的一端位于封裝外殼的外部，所述外接引腳與封裝外殼的內(nèi)部固定，進而可以對外接引腳的連接處進行密封。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供了一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，具備以下有益效果：

1、該芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，通過將碳化硅芯片安裝在第一基島的正面，從而可以將其安裝在尺寸較小的DFN5060封裝內(nèi)部，進而實現(xiàn)將產(chǎn)品進行小型化。

2、該芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，通過第一基島、第二基島、第三基島、第四基島、碳化硅芯片和硅基MOS芯片之間的相互配合，通過碳化硅芯片使得該裝置可以工作在更高的運行頻率上，且碳化硅可以承受更高的溫度，從而使得該裝置在運行時更加穩(wěn)定。