[發(fā)明專利]一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111170210.1 | 申請(qǐng)日： | 2021-10-08 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN113871366A | 公開（公告）日： | 2021-12-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 彭鈺 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 彭鈺 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495;H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 暫無(wú)信息 | 代理人： | 暫無(wú)信息 |
| 地址： | 518000 廣東*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說(shuō)明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 芯片 封裝 用多基島 碳化硅 功率 開關(guān) | ||
1.一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，包括封裝外殼(1)，其特征在于：所述封裝外殼(1)的內(nèi)部設(shè)置有第一基島(3)、第二基島(4)、第三基島(5)和第四基島(6)，所述第一基島(3)的正面設(shè)置有碳化硅芯片(7)，所述第二基島(4)的正面設(shè)置有硅基MOS芯片(8)，所述第一基島(3)、第二基島(4)、第三基島(5)和第四基島(6)的側(cè)表面均設(shè)置有外接引腳(9)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，其特征在于：所述第一基島(3)位于封裝外殼(1)內(nèi)部的右側(cè)，所述第二基島(4)、第三基島(5)和第四基島(6)均位于封裝外殼(1)內(nèi)部的左側(cè)，所述第一基島(3)位于第二基島(4)的右側(cè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，其特征在于：所述第一基島(3)的右側(cè)設(shè)置有四個(gè)外接引腳(9)，所述第二基島(4)的左側(cè)設(shè)置有兩個(gè)外接引腳(9)，所述第三基島(5)和第四基島(6)的左側(cè)均設(shè)置有一個(gè)外接引腳(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，其特征在于：所述碳化硅芯片(7)通過(guò)連接線(2)與第二基島(4)和第四基島(6)連接，所述硅基MOS芯片(8)通過(guò)連接線(2)與第三基島(5)和第四基島(6)連接，所述連接線(2)材質(zhì)采用銅線或鋁線，所述第一基島(3)、第二基島(4)、第三基島(5)和第四基島(6)均采用可導(dǎo)電金屬材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種芯片封裝用多基島碳化硅功率開關(guān)管，其特征在于：所述外接引腳(9)的一端位于封裝外殼(1)的外部，所述外接引腳(9)與封裝外殼(1)的內(nèi)部固定。
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