[發明專利]一種連續式晶體硅高效應力釋放設備

在審

• 申請號: 202111168550.0
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113774493A
• 公開（公告）日: 2021-12-10
• 發明（設計）人: 吳利德
• 申請（專利權）人: 吳利德
• 主分類號: C30B33/02
• 分類號: C30B33/02;C30B29/06;F27B9/06;F27B9/24;F27B9/38;F27B9/39
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 陳仕超

本發明公開了一種連續式晶體硅高效應力釋放設備，涉及晶體硅的應力釋放技術領域，用于解決現有技術中在對晶體硅釋放應力時，硅棒兩端的硅渣容易掉入加熱爐內而不便清理以及硅棒在爐內移動時容易錯位和斷裂的問題，本發明包括依次設置的進料輸送機構、上料機構、加熱爐、接料機構、水箱、滾軸箱體，所述滾軸箱體內安裝有多個下滾筒；所述加熱爐內安裝有多個上滾筒，所述上滾筒上安裝有多個移料托架，所述移料托架的頂面設有可讓硅棒沿加熱爐長度方向放置的多組放置組件；所述加熱爐的前端和后端均安裝有豎直換料機構。本發明通過上述技術方案使得硅棒兩端的硅渣基本上不會掉落到加熱爐內，從而更容易對掉落的硅渣進行清理。

技術領域

本發明涉及晶體硅的應力釋放技術領域，更具體的是涉及一種連續式晶體硅高效應力釋放設備技術領域。

背景技術

目前國內多晶硅、單晶硅行業大多采用簡單的人工破碎，人工破碎存在許多弊端，例如產品質量不穩定，易產生非硅，生產效率低，占用面積大，人工成本高、防護用品消耗大，隨著機械破碎技術的成熟，從而取代人工破碎，機械破碎雖然效率高，占用人工少，但晶體硅未進行應力釋放時，采用機械破碎會產生較大的硅粉料占比，通常是傳統人工破碎的3倍，造成硅料的損耗，所以急需一種能對晶體硅破碎前進行應力釋放的設備。

現有技術中對晶體硅破碎前進行應力釋放的設備包括上料機構、真空箱、加熱爐、后段轉運室、第一水箱和輸送機構，上料機構用于將待破碎的多晶硅從上料臺送入真空箱內；輸送機構用于將多晶硅從真空箱送入加熱爐內，且用于將加熱爐內的多晶硅送入第一水箱；真空箱上與上料機構靠近的位置設置有上料門，真空箱上與加熱爐連接的位置設置有可開閉的前段爐門，上料門打開則允許上料機構上料，前段爐門打開則允許輸送機構將多晶硅送入加熱爐內，上料門和前段爐門關閉則真空箱形成密封空間；加熱爐用于對多晶硅進行加熱，加熱爐上與后段轉運室連接的位置設置有后段爐門，前段爐門和后段爐門關閉則加熱爐形成封閉空間；第一水箱用于盛放冷卻水，且位于后段轉運室的下方，該設備通過步進輸送機構將晶體硅送入加熱爐內加熱后，再通過冷卻水進行快速冷卻，這樣即可釋放晶體硅的應力。

但是，由于上述設備通過步進輸送機構將晶體硅送入加熱爐內，如此硅棒只能橫著放,加熱過程中硅棒兩端的硅渣會掉在爐子里，這樣不便于清理掉入加熱爐內的硅渣，同時硅棒在爐內反復上下移動容易錯位和斷裂。因此，我們迫切的需要一種在釋放晶體硅應力的同時，可以減少掉入加熱爐內硅渣的連續式晶體硅高效應力釋放設備。

發明內容

本發明的目的在于：為了解決現有技術中在對晶體硅釋放應力時，硅棒兩端的硅渣容易掉入加熱爐內而不便清理以及硅棒在爐內移動時容易錯位和斷裂的問題，本發明提供一種連續式晶體硅高效應力釋放設備，通過設置上滾筒和下滾筒，并通過豎直換料機構將移料托架從上滾筒搬運到下滾筒或將移料托架從下滾筒搬運到上滾筒，而硅棒可以沿加熱爐的長度方向安裝在移料托架上，這樣硅棒兩端的硅渣就基本上不會掉落到加熱爐內，從而更容易對掉落的硅渣進行清理；由于將硅棒放置在放置組件上，所以硅棒在爐內隨著移料托架移動時不容易錯位和斷裂。

本發明為了實現上述目的具體采用以下技術方案：

一種連續式晶體硅高效應力釋放設備，包括依次設置的進料輸送機構、上料機構、加熱爐、接料機構、水箱和出料輸送機構，所述加熱爐的底面安裝有滾軸箱體，所述滾軸箱體內沿其長度方向通過軸承安裝有多個下滾筒，多個所述下滾筒間安裝有動力機構；所述加熱爐內沿其長度方向通過軸承安裝有多個上滾筒，所述上滾筒上安裝有多個移料托架，所述移料托架的頂面設有可讓硅棒沿加熱爐長度方向放置的多組放置組件，所述加熱爐內沿其長度方向還安裝有位于上滾筒上方的多個加熱管；所述加熱爐的前端和后端均安裝有豎直換料機構，所述滾軸箱體的前端安裝有推料機構。

放置組件的優選結構為：所述放置組件包括安裝在移料托架前部且相對設置的兩個前硅塊和安裝在移料托架后部且相對設置的兩個后硅塊，兩個所述前硅塊和兩個所述后硅塊間均留有放置間隙；所述移料托架的前端和后端均設有導渣斜面，相鄰兩個所述移料托架的導渣斜面間構成積渣槽，所述加熱爐的末端下部設有收集槽。