[發明專利]一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法

有效

• 申請號: 202111167715.2
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113800540B
• 公開（公告）日: 2023-06-02
• 發明（設計）人: 周文斌;沈曙光;葉陽陽;張遠;張翼;任科恩;盧學鋒
• 申請（專利權）人: 浙江鎮洋發展股份有限公司
• 主分類號: C01D3/14
• 分類號: C01D3/14;C25B1/16
• 代理公司: 北京維正專利代理有限公司 11508
• 代理人: 魯勇杰

本申請涉及燒堿制備工藝的技術領域，更具體地說，它涉及一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法。一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法，包括酸性氣浮法除硅流程以及中性沉淀法除鋁流程；酸性氣浮法除硅流程包括以下步驟：（1）添加起泡劑以及硅離子捕獲劑；（2）添加氣體輔助劑；（3）通過納濾膜進行過濾；中性沉淀法除鋁流程包括以下步驟：S1、添加氫氧化鈉溶液；S2、通過過濾器內進行過濾。本申請具有可以除去鹽水中的硅鋁離子的優點。

技術領域

本申請涉及燒堿制備工藝的技術領域，更具體地說，它涉及一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法。

背景技術

離子膜燒堿就是采用離子交換膜法電解鹽水而制成的燒堿，其主要原理是首先通過電解法將陽極室內的鹽水進行電解得到Na⁺、Cl^-、OH^-以及H⁺，將陰極室內的純水進行電解得到OH^-以及H⁺；隨后通過陽離子交換膜的選擇透過性將陽極室內的Na⁺以及H⁺轉移至陰極室內，最后，陰極室內的H⁺逐漸在陰極生成H₂并揮發，而陰極室內的Na⁺與OH^-相互結合并形成NaOH。

但是，離子膜燒堿對鹽水中的雜質具有嚴格的要求，而鹽水中通常含有微量的鈣鎂離子，而如果對鈣鎂離子不進行控制，鈣鎂離子除了會導致電解槽內的電流以及電壓上升之外，還會對陽離子交換膜的孔道造成堵塞，進而增加生產的電耗并降低陽離子交換膜的運行壽命。

相關技術中，為了有效去除鹽水中的微量鈣鎂離子，通常會在對鹽水進行電解前進行一次鹽水精制以及二次鹽水精制，其中，一次鹽水精制即在鹽水中首先添加Na₂CO₃以及NaOH，進而促使Mg²⁺與OH^-發生結合并得到Mg(OH)₂沉淀，促使Ca²⁺與CO₃^2-發生結合并得到CaCO₃沉淀，隨后通過過濾Mg(OH)₂沉淀以及CaCO₃沉淀便可以去除鈣鎂離子并得到一次精制鹽水；二次鹽水精制即將一次精制鹽水放置于螯合樹脂塔內，通過螯合樹脂對鈣鎂離子進行二次去除，便可以得到二次精制鹽水，進而有效去除鹽水中的微量鈣鎂離子。

針對上述技術特征，申請人認為，雖然一次鹽水精制以及二次鹽水精制可以有效去除鹽水中的微量鈣鎂離子，但是，鹽水中還存在一定量的硅鋁離子，且由于硅為一種兩性非金屬，由于鋁為一種兩性金屬，所以硅鋁離子在堿性條件下均具有較高的溶解度，而一次鹽水精制以及二次鹽水精制均難以對溶解態的硅鋁離子進行去除，進而導致精制鹽水中硅鋁離子容易縮短離子交換膜的使用壽命。

發明內容

為了改善精制鹽水中硅鋁離子容易縮短離子交換膜的使用壽命的問題，本申請提供一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法。

本申請提供的一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法采用如下的技術方案：一種離子膜燒堿鹽水一次精制除去硅鋁的方法，包括酸性氣浮法除硅流程以及中性沉淀法除鋁流程；

所述酸性氣浮法除硅流程包括以下步驟：

(1)將鹽水、起泡劑以及硅離子捕獲劑進行混合，隨后得到預處理鹽水；

(2)在預處理鹽水中以鼓泡的形式加入氣體輔助劑，隨后在酸性條件下將膠體硅捕獲在泡沫相上，得到初步除硅鹽水；

(3)將初步除硅鹽水通入過濾器內進行過濾，隨后通過納濾膜除去除硅鹽水中的起泡劑負離子、硅離子捕獲劑負離子以及氣體輔助劑負離子，最后得到精制除硅鹽水；

所述中性沉淀法除鋁流程包括以下步驟：