[發(fā)明專利]一種集成光感應(yīng)器的顯示裝置及制備工藝

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111163618.6
• 申請(qǐng)日: 2021-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN113937139A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 眭斌;謝雄才;李源;張文進(jìn);楊亮
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 信利半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/32
• 分類號(hào): H01L27/32;H01L31/075
• 代理公司: 北京德崇智捷知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11467
• 代理人: 邢飛飛

本發(fā)明公開了一種集成光感應(yīng)器的顯示裝置及制備工藝，所述顯示裝置包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，在非顯示區(qū)集成光感應(yīng)器，所述光感應(yīng)器包括正極、負(fù)極以及位于正極和負(fù)極之間的PIN型或NIP型太陽能電池結(jié)構(gòu)。本發(fā)明利用TFT陣列基板制備時(shí)已經(jīng)存在的源極漏極的金屬層，有源層，透明像素電極或公共電極層，在制備光感應(yīng)器時(shí)，在金屬層上增加PIN層，形成一個(gè)PIN型的太陽能電池結(jié)構(gòu)，在不同的環(huán)境光照強(qiáng)度下，產(chǎn)生不同數(shù)量的載流子，從而可以根據(jù)光感應(yīng)器的電壓、電流值的大小來調(diào)節(jié)背光源亮度，大大節(jié)省了顯示裝置的成本，降低了顯示裝置的厚度，提高了可靠性。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種集成光感應(yīng)器的顯示裝置及制備工藝。

背景技術(shù)

LCD液晶顯示器本身不能發(fā)光，需要背光提供背光源來達(dá)到顯示圖像的目的，液晶顯示 器使用過程中，由于外界環(huán)境光隨著所處環(huán)境的不同而不同，導(dǎo)致顯示屏需要進(jìn)行一定的亮 度調(diào)節(jié)，改善用戶體驗(yàn)，讓顯示屏亮度根據(jù)環(huán)境光條件自行調(diào)整到最佳狀態(tài)，在高強(qiáng)環(huán)境光 下，需要提高背光亮度，來提高顯示屏亮度而看清楚顯示內(nèi)容，光線暗的時(shí)候，需要降低背 光亮度提高用眼舒適度；同時(shí)背光照明的耗電量是顯示屏中的最主要耗電量，實(shí)行動(dòng)態(tài)的背 光亮度控制，可大量節(jié)省顯示屏電量損耗。

目前市場上液晶顯示產(chǎn)品一把都是在液晶顯示屏上額外增加光感應(yīng)器模組，通過貼合的 方式，集成到顯示模組中，這會(huì)導(dǎo)致器件厚度增加,同時(shí)增加生產(chǎn)工藝及產(chǎn)品成本，如果將 光感應(yīng)器利用現(xiàn)有工藝制作在顯示屏上，將會(huì)改善器件厚度，降低產(chǎn)品成本。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明需要解決的技術(shù)問題是提供一種集成光感應(yīng)器的顯示裝置及制備工藝，該顯示裝 置將光感應(yīng)器集成在顯示屏上，器件厚度變薄，工藝簡化，降低了產(chǎn)品成本。

為解決上述問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：

一種集成光感應(yīng)器的顯示裝置，所述顯示裝置包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包 括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，在非顯示區(qū)集成光感應(yīng)器，所述光感應(yīng)器包括正極、負(fù)極以及位于正 極和負(fù)極之間的PIN型或NIP型太陽能電池結(jié)構(gòu)。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的正極和負(fù)極與TFT陣列基板顯示區(qū)的金屬層或像素電極或公 共電極在同一制程下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的PIN型太陽能電池結(jié)構(gòu)由p層、i層以及n層構(gòu)成，其中n層與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的歐姆接觸層n+a-Si位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的i層與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的有源層a-Si位于同一 層，在同一制程下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的正極或負(fù)極與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的源漏極金屬層位 于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應(yīng)器的正極或負(fù)極的走線保護(hù)層與TFT陣列基 板顯示區(qū)晶體管的源漏極絕緣保護(hù)層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應(yīng)器的 負(fù)極或正極與TFT陣列基板顯示區(qū)的透明像素電極或透明公共電極位于同一層，在同一制程 下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的正極與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的柵極金屬層位于同一層， 在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應(yīng)器的正極的走線保護(hù)層與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的 柵極絕緣保護(hù)層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應(yīng)器的負(fù)極與TFT陣列基板 顯示區(qū)的透明像素電極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述光感應(yīng)器的負(fù)極及其走線的保護(hù)層與TFT陣列基板顯示區(qū)晶體管的源漏 極絕緣保護(hù)層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

進(jìn)一步的，所述TFT陣列基板顯示區(qū)上陣列OLED，所述光感應(yīng)器的正極或負(fù)極與TFT 陣列基板顯示區(qū)OLED的陽極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應(yīng)器的負(fù)極或正 極與TFT陣列基板顯示區(qū)OLED的陰極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。