[發明專利]一種集成光感應器的顯示裝置及制備工藝

在審

• 申請號: 202111163618.6
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113937139A
• 公開（公告）日: 2022-01-14
• 發明（設計）人: 眭斌;謝雄才;李源;張文進;楊亮
• 申請（專利權）人: 信利半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/32
• 分類號: H01L27/32;H01L31/075
• 代理公司: 北京德崇智捷知識產權代理有限公司 11467
• 代理人: 邢飛飛

1.一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述顯示裝置包括TFT陣列基板，所述TFT陣列基板包括顯示區和非顯示區，在非顯示區集成光感應器，所述光感應器包括正極、負極以及位于正極和負極之間的PIN型或NIP型太陽能電池結構。

2.根據權利要求1所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的正極和負極與TFT陣列基板顯示區的金屬層或像素電極或公共電極在同一制程下沉積蝕刻。

3.根據權利要求2所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的PIN型太陽能電池結構由p層、i層以及n層構成，其中n層與TFT陣列基板顯示區晶體管的歐姆接觸層n+ a-Si位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

4.根據權利要求3所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的i層與TFT陣列基板顯示區晶體管的有源層a-Si位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

5.根據權利要求1或2所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的正極或負極與TFT陣列基板顯示區晶體管的源漏極金屬層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應器的正極或負極的走線保護層與TFT陣列基板顯示區晶體管的源漏極絕緣保護層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應器的負極或正極與TFT陣列基板顯示區的透明像素電極或透明公共電極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

6.根據權利要求1-4任一項所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的正極與TFT陣列基板顯示區晶體管的柵極金屬層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應器的正極的走線保護層與TFT陣列基板顯示區晶體管的柵極絕緣保護層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應器的負極與TFT陣列基板顯示區的透明像素電極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

7.根據權利要求6所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器的負極及其走線的保護層與TFT陣列基板顯示區晶體管的源漏極絕緣保護層位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

8.根據權利要求1所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述TFT陣列基板顯示區上陣列OLED，所述光感應器的正極或負極與TFT陣列基板顯示區OLED的陽極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻，所述光感應器的負極或正極與TFT陣列基板顯示區OLED的陰極位于同一層，在同一制程下沉積蝕刻。

9.根據權利要求1-4、7、8任一項所述的一種集成光感應器的顯示裝置，其特征在于：所述光感應器為兩個以上，光感儀器之間的連接方式為串聯連接。

10.一種集成光感應器的顯示裝置的制備工藝，其特征在于，包括TFT陣列基板上晶體管的制備工藝，以及光感應器的制備工藝，所述光感應器制備步驟包括：光感應器正極或負極的沉積蝕刻、PIN型或NIP型太陽能電池結構的制備以及光感應器負極或正極的沉積蝕刻；其中PIN型或NIP型太陽能電池結構的制備包括p層沉積蝕刻、i層沉積蝕刻以及n層沉積蝕刻。

11.根據權利要求10所述的一種集成光感應器的顯示裝置的制備工藝，其特征在于：所述光感應器的正極和負極與TFT陣列基板顯示區的金屬層或像素電極或公共電極在同一制程下沉積蝕刻。

12.根據權利要求11所述的一種集成光感應器的顯示裝置的制備工藝，其特征在于：所述光感應器的n層與TFT陣列基板顯示區晶體管的歐姆接觸層在同一制程下沉積蝕刻。

13.根據權利要求12所述的一種集成光感應器的顯示裝置的制備工藝，其特征在于：所述光感應器的i層與TFT陣列基板顯示區晶體管的有源層a-Si在同一制程下沉積蝕刻。