[發明專利]發光基板的制作方法及發光基板

有效

• 申請號: 202111161926.5
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113921555B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發明（設計）人: 白雪
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電半導體顯示技術有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/50;G03F7/20
• 代理公司: 深圳紫藤知識產權代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

本申請實施例公開了一種發光基板的制作方法及發光基板，該發光基板的制作方法包括以下步驟：在一襯底基板上形成多個LED芯片，相鄰LED芯片之間具有間隔區；在襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個LED芯片以及多個間隔區；對黑色光阻層進行第一次曝光處理，以減少位于多個LED芯片正上方的黑色光阻層中的無機物；對黑色光阻層進行第二次曝光處理，以固化黑色光阻層。該發光基板的制作方法通過對黑色光阻層進行第一次曝光處理，以減少位于多個LED芯片正上方的黑色光阻層中的無機物，從而增大LED芯片的出光亮度，增大能效，可以解決LED芯片出光亮度不均的問題。

技術領域

本申請涉及顯示技術領域，具體涉及一種發光基板的制作方法及發光基板。

背景技術

Micro Led(Micro Light Emitting Diode，微型發光二極管)技術已成為成未來顯示技術的熱點之一，和目前的LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、OLED(Organic Light Emitting Diode，有機發光二極管)顯示器件相比，具有反應快、高色域、高解析度、低能耗等優勢；Mini-LED(Mini Light Emitting Diode，小間距發光二極管)作為Micro-LED與背板結合的產物，具有高對比度、高顯色性能等可與OLED相媲美的特點，成本稍高于LCD，但僅為OLED的六成左右，且相對Micro-LED、OLED更易實施，所以Mini-LED成為各大面板廠商布局熱點。

Micro Led/Mini Led技術為LED微縮化和矩陣化技術，指的是在一個芯片上集成高密度、微小尺寸的LED陣列的技術，以將像素點的距離從毫米級降低至微米級，甚至是納米級。具體地，陣列基板上設置有多個LED芯片，由于陣列基板上排布的LED芯片的芯片數量巨大，且LED芯片的尺寸在微米級別上，LED芯片與LED芯片之間的間距也比較小，如果MicroLed/Mini Led的LED芯片之間未建立阻擋層或阻擋層的透過率較高，LED芯片發出的朗伯光型會引起相鄰像素的量子點色彩轉換層被激發，從而發生光串擾，會大大降低顯示的色域。

現有技術中常使用黑色阻擋層來阻擋像素之間光串擾，黑色阻擋層采用整面噴凃后去除表面黑膠的工藝涂敷，但是，由于Micro Led/Mini Led芯片自身及綁定焊料的高度差，LED芯片之間的高度差大概在20微米左右，使部分LED芯片表面在研磨后仍有大量黑膠覆蓋而導致LED芯片的出光亮度不均，大量光被覆蓋在LED芯片表面的黑膠阻擋層吸收，能效較低，嚴重影響Micro Led/Mini Led發光基板的品質。

發明內容

本申請提供一種發光基板的制作方法及發光基板，該發光基板的制作方法通過在掩膜下對LED芯片正上方的黑色光阻進行預固化，使LED芯片表面的黑色光阻減少，增大LED芯片出光亮度，增大能效，解決了LED芯片出光亮度不均的問題。

第一方面，本申請實施例提供一種發光基板的制作方法，包括：

在一襯底基板上形成多個LED芯片，相鄰所述LED芯片之間具有間隔區；

在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區；

對所述黑色光阻層進行第一次曝光處理，以減少位于多個所述LED芯片正上方的所述黑色光阻層中的無機物；

對所述黑色光阻層進行第二次曝光處理，以固化所述黑色光阻層。

可選地，在本申請的一些實施例中，所述在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區的步驟，具體包括：對所述黑色光阻進行平坦化處理，以使所述黑色光阻層填充所述間隔區。