[發(fā)明專利]發(fā)光基板的制作方法及發(fā)光基板

有效

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• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113921555B
• 公開（公告）日: 2023-10-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白雪
• 申請（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電半導(dǎo)體顯示技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L27/15
• 分類號: H01L27/15;H01L33/50;G03F7/20
• 代理公司: 深圳紫藤知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44570
• 代理人: 楊艇要

1.一種發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，包括：

在一襯底基板上形成多個LED芯片，相鄰所述LED芯片之間具有間隔區(qū)；

在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區(qū)；

對所述黑色光阻層進(jìn)行第一次曝光處理，以減少位于多個所述LED芯片正上方的所述黑色光阻層中的無機(jī)物；

對所述黑色光阻層進(jìn)行第二次曝光處理，以固化所述黑色光阻層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區(qū)的步驟，具體包括：

對所述黑色光阻層進(jìn)行平坦化處理，以使所述黑色光阻層填充所述間隔區(qū)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述對所述黑色光阻層進(jìn)行第一次曝光處理，以減少位于多個所述LED芯片正上方的所述黑色光阻層中的無機(jī)物的步驟，具體包括：

提供一掩膜板，所述掩膜板包括多個曝光區(qū)以及多個遮光區(qū)，多個所述曝光區(qū)與多個所述LED芯片一一對應(yīng)，多個所述遮光區(qū)與多個所述間隔區(qū)一一對應(yīng)；

在所述掩膜板下，對所述黑色光阻層進(jìn)行第一次曝光，以使位于所述曝光區(qū)的黑色光阻層中的無機(jī)物向所述遮光區(qū)的所述黑色光阻層擴(kuò)散。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述對所述黑色光阻層進(jìn)行第二次曝光處理，以固化所述黑色光阻層，還包括：

對固化后的所述黑色光阻層進(jìn)行研磨，除去高于所述LED芯片的所述黑色光阻層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區(qū)的步驟，具體包括：

在所述襯底基板上涂覆黑色光阻層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述在所述襯底基板上形成黑色光阻層，以覆蓋多個所述LED芯片以及多個所述間隔區(qū)的步驟，具體包括：

在一轉(zhuǎn)換基板的表面涂覆黑色光阻層，并將所述轉(zhuǎn)換基板涂覆有所述黑色光阻層的一側(cè)覆蓋于所述襯底基板上，對所述轉(zhuǎn)換基板進(jìn)行預(yù)烘烤，使所述黑色光阻層附著于所述襯底基板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光基板的制作方法，其特征在于，所述黑色光阻層的材料至少包括炭黑、光引發(fā)劑及反應(yīng)性單體。

8.一種發(fā)光基板，其特征在于，包括：

襯底基板；

多個LED芯片，相鄰所述LED芯片之間具有間隔區(qū)；

黑色光阻層，所述黑色光阻層形成于所述襯底基板上。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光基板，其特征在于，所述黑色光阻層包括第一遮光部和第二遮光部，所述第一遮光部填充于所述間隔區(qū)；所述第二遮光部形成于所述LED芯片的正上方。

10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光基板，其特征在于，多個所述LED芯片中至少部分所述LED芯片的高度不同。