[發明專利]推挽式射頻功率放大電路及推挽式射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202111160504.6
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN115913139A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 黃水根;呂彬彬;石憲青;閔鳴;張文達;李想;曹原;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳磐微電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/26
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業剛

1.一種推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一巴倫、第一LC諧振電路和第二LC諧振電路；

所述第一差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第一端，所述第二差分放大晶體管耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第二端；

所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈的第一端和所述初級線圈的中點之間，第二端接地；

所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈的第二端和所述初級線圈的中點之間，第二端接地。

2.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第一電感和第二電感；

所述第一電感串聯在所述第一差分放大晶體管的輸出端和所述第一巴倫的初級線圈的第一端之間；

所述第二電感串聯在所述第二差分放大晶體管的輸出端和所述第一巴倫的初級線圈的第二端之間。

3.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈的第一端的位置，所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈的第二端的位置。

4.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈中點的位置，所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈中點的位置。

5.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈上的第一位置點，與所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈上的第二位置點，所述第一位置點和所述第二位置點以一虛擬直線為對稱軸呈對稱分布，其中，所述虛擬直線穿過所述初級線圈的中點且垂直平分所述第一位置點和所述第二位置點之間的虛擬連接線段。

6.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一巴倫的初級線圈包括串聯連接的第一初級線圈段和第二初級線圈段，所述第一LC諧振電路的第一端連接至所述第一初級線圈段上，所述第二LC諧振電路的第一端連接至所述第二初級線圈段上。

7.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第一電容，所述第一電容串聯在所述第一差分放大晶體管的輸出端和所述第二差分放大晶體管的輸出端之間。

8.如權利要求7所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，還包括第二電容，所述第二電容的一端連接至所述第一初級線圈段和所述第二初級線圈段之間，另一端接地。

9.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一LC諧振電路和所述第二LC諧振電路被配置為諧振在二階諧波頻率點。

10.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一差分放大晶體管為BJT管，包括基極、集電極和發射極，所述第一差分放大晶體管的基極接收輸入的第一射頻輸入信號，所述第一差分放大晶體管的集電極耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第一端，所述第一差分放大晶體管的發射極接地；

所述第二差分放大晶體管為BJT管，包括基極、集電極和發射極，所述第二差分放大晶體管的基極接收輸入的第二射頻輸入信號，所述第二差分放大晶體管的集電極耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第二端，所述第二差分放大晶體管的發射極接地。

11.如權利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的第一射頻輸出信號，次級線圈的第二端輸出放大的第二射頻輸出信號；或者，所述第一巴倫的次級線圈的第一端輸出放大的射頻輸出信號，次級線圈的第二端接地。