[發明專利]推挽式射頻功率放大電路及推挽式射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202111160504.6
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN115913139A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 黃水根;呂彬彬;石憲青;閔鳴;張文達;李想;曹原;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳磐微電子科技（上海）有限公司
• 主分類號: H03F1/32
• 分類號: H03F1/32;H03F1/56;H03F3/195;H03F3/213;H03F3/26
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業剛

本發明公開了一種推挽式射頻功率放大電路，將第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于初級線圈的第一端和初級線圈的中點之間，第二端接地；以及將第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于初級線圈的第二端和初級線圈的中點之間，第二端接地；從而達到提高推挽式射頻功率放大電路的功率回退效率和飽和功率的目的，進而實現提高推挽式射頻功率放大電路的線性度。

技術領域

本發明涉及射頻技術領域，尤其涉及一種推挽式射頻功率放大電路、推挽式射頻功率放大器及射頻前端模組。

背景技術

移動通信技術已經演進至第五代，5G?NR(5th-Generation?New?Radio)作為基于正交頻分復用(Orthogonal?Frequency?Division?Multiplexing，OFDM)的全新空口設計的全球性5G標準，也是下一代非常重要的蜂窩移動技術基礎。由于電磁波在空氣中的傳輸衰減隨頻率增大而明顯增高，所以一方面通信設備需要提供更大的發射功率以保證信號傳輸距離，另一方面，更高的數據傳輸速率要求更大的信號帶寬、更復雜的調制方式，這些都對射頻功率放大器提出了越來越高的技術要求，包括在高頻段提供更高的線性度等等。因此，實現功率放大器的高線性度是一個重要且有價值的工程問題。

發明內容

本發明實施例提供一種推挽式射頻功率放大電路、推挽式射頻功率放大器及射頻前端模組，解決推挽式射頻功率放大電路的線性度較低問題。

一種推挽式射頻功率放大電路，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一巴倫、第一LC諧振電路和第二LC諧振電路；

所述第一差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第一端，所述第二差分放大晶體管耦合至所述第一巴倫的初級線圈的第二端；

所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈的第一端和所述初級線圈的中點之間，第二端接地；

所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈的第二端和所述初級線圈的中點之間，第二端接地。

進一步地，還包括第一電感和第二電感；

所述第一電感串聯在所述第一差分放大晶體管的輸出端和所述第一巴倫的初級線圈的第一端之間；

所述第二電感串聯在所述第二差分放大晶體管的輸出端和所述第一巴倫的初級線圈的第二端之間。

進一步地，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈的第一端的位置，所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈的第二端的位置。

進一步地，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈中點的位置，所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且連接在靠近所述初級線圈中點的位置。

進一步地，所述第一LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈上的第一位置點，與所述第二LC諧振電路的第一端連接在所述初級線圈上，且位于所述初級線圈上的第二位置點，所述第一位置點和所述第二位置點以一虛擬直線為對稱軸呈對稱分布，其中，所述虛擬直線穿過所述初級線圈的中點且垂直平分所述第一位置點和所述第二位置點之間的虛擬連接線段。

進一步地，所述第一LC諧振電路的第一端連接至所述初級線圈的中點上，所述第二LC諧振電路的第一端連接至所述初級線圈的中點上。

進一步地，所述第一巴倫的初級線圈包括串聯連接的第一初級線圈段和第二初級線圈段，所述第一LC諧振電路的第一端連接至所述第一初級線圈段上，所述第二LC諧振電路的第一端連接至所述第二初級線圈段上。

進一步地，還包括第一電容，所述第一電容串聯在所述第一差分放大晶體管的輸出端和所述第二差分放大晶體管的輸出端之間。