[發明專利]推挽式射頻功率放大電路及推挽式射頻功率放大器

在審

• 申請號: 202111159843.2
• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN115913150A
• 公開（公告）日: 2023-04-04
• 發明（設計）人: 曹原;雷永儉;倪建興
• 申請（專利權）人: 銳石創芯（深圳）科技股份有限公司
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/19;H03F3/26;H03F1/42
• 代理公司: 深圳眾鼎匯成知識產權代理有限公司 44566
• 代理人: 朱業剛

本發明公開了一種推挽式射頻功率放大電路包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一巴倫和電容網絡；通過將第一巴倫的初級線圈改進為由第一線圈段與第二線圈段相互連接而成的結構，且將電容網絡接入在第一線圈段與第二線圈段的連接處，電容網絡與第一巴倫共同參與推挽式射頻功率放大電路的阻抗匹配，以在實現阻抗匹配目的的同時使得該推挽功率放大系統可以支持更大的帶寬；而不需要在第一差分放大晶體管的輸出端和第一巴倫的第一輸入端之間，以及在第二差分放大晶體管的輸出端和和第一巴倫的第二輸入端之間分別接入電容；從而在保證推挽式射頻功率放大電路的整體性能不變的情況下，還進一步減小了推挽式射頻功率放大電路的占用面積。

技術領域

本發明涉及射頻技術領域，尤其涉及一種推挽式射頻功率放大電路、推挽式射頻功率放大器及射頻前端模組。

背景技術

第五代移動通信技術(5G)的關鍵性能目標是傳輸速率相比4G大幅提升，5G新技術需要采用頻率更高、帶寬更大、QAM調制更高階的射頻前端，使其對射頻前端的功率放大器的設計提出更嚴苛的要求。推挽功率放大器因在射頻前端中可滿足頻率更高、帶寬更大和QAM調制更高階的需求，從而得到廣泛應用。然而，在設計推挽功率放大器時為了實現阻抗匹配等性能指標，往往會通過增加較多的阻抗匹配元件或者設計更復雜的電路結構來實現，從而導致推挽功率放大器電路結構復雜、占用面積過大，不利于推挽功率放大器的小型化設計。

發明內容

本發明實施例提供一種推挽式射頻功率放大電路、推挽式射頻功率放大及射頻前端模組，解決推挽功率放大電路難以同時兼顧占用面積和性能的問題。

一種推挽式射頻功率放大電路，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一巴倫和電容網絡；

所述第一巴倫的初級線圈包括第一線圈段和第二線圈段；

所述電容網絡的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述電容網絡的第二端與所述第二線圈段的第一端連接；

所述第一差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第一線圈段的第一端，所述第二差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第二線圈段的第二端。

進一步地，所述電容網絡包括第一電容，所述第一電容的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述第一電容的第二端與所述第二線圈段的第一端連接。

進一步地，所述電容網絡包括串聯連接的第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述第一電容的第二端與所述第二電容的第一端連接，所述第二電容的第二端與所述第二線圈段的第一端連接。

進一步地，所述第一電容的第二端與接地端相連。

進一步地，還包括共模抑制電路，所述共模抑制電路的一端耦合至所述第一電容和所述第二電容之間，另一端接地。

進一步地，所述共模抑制電路包括第一電阻。

進一步地，所述共模抑制電路包括串聯連接的第三電容和第一電感。

進一步地，還包括饋電電源端和去耦電容，所述第一差分放大晶體管的輸出端通過第二電感連接至所述饋電電源端，所述第二差分放大晶體管的輸出端通過第三電感連接至所述饋電電源端；所述去耦電容的一端連接至所述饋電電源端，另一端接地。

進一步地，所述電容網絡的電容值小于可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯在所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述初級線圈的第一端之間的隔直電容的電容值，和/或，所述電容網絡的電容值小于可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯在所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述初級線圈的第二端之間的隔直電容的電容值。