[發(fā)明專利]推挽式射頻功率放大電路及推挽式射頻功率放大器在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111159843.2 | 申請(qǐng)日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN115913150A | 公開（公告）日： | 2023-04-04 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 曹原;雷永儉;倪建興 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 銳石創(chuàng)芯（深圳）科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H03F3/21 | 分類號(hào)： | H03F3/21;H03F3/19;H03F3/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 深圳眾鼎匯成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44566 | 代理人： | 朱業(yè)剛 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市福田區(qū)梅林街*** | 國(guó)省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 推挽式 射頻 功率 放大 電路 功率放大器 | ||
1.一種推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，包括第一差分放大晶體管、第二差分放大晶體管、第一巴倫和電容網(wǎng)絡(luò)；
所述第一巴倫的初級(jí)線圈包括第一線圈段和第二線圈段；
所述電容網(wǎng)絡(luò)的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述電容網(wǎng)絡(luò)的第二端與所述第二線圈段的第一端連接；
所述第一差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第一線圈段的第一端，所述第二差分放大晶體管的輸出端耦合至所述第二線圈段的第二端。
2.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述電容網(wǎng)絡(luò)包括第一電容，所述第一電容的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述第一電容的第二端與所述第二線圈段的第一端連接。
3.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述電容網(wǎng)絡(luò)包括串聯(lián)連接的第一電容和第二電容，所述第一電容的第一端與所述第一線圈段的第二端連接，所述第一電容的第二端與所述第二電容的第一端連接，所述第二電容的第二端與所述第二線圈段的第一端連接。
4.如權(quán)利要求3所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一電容的第二端與接地端相連。
5.如權(quán)利要求3所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，還包括共模抑制電路，所述共模抑制電路的一端耦合至所述第一電容和所述第二電容之間，另一端接地。
6.如權(quán)利要求5所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述共模抑制電路包括第一電阻。
7.如權(quán)利要求5所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述共模抑制電路包括串聯(lián)連接的第三電容和第一電感。
8.如權(quán)利要求4所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，還包括饋電電源端和去耦電容，所述第一差分放大晶體管的輸出端通過第二電感連接至所述饋電電源端，所述第二差分放大晶體管的輸出端通過第三電感連接至所述饋電電源端；所述去耦電容的一端連接至所述饋電電源端，另一端接地。
9.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述電容網(wǎng)絡(luò)的電容值小于可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯(lián)在所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述初級(jí)線圈的第一端之間的隔直電容的電容值，和/或，所述電容網(wǎng)絡(luò)的電容值小于可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯(lián)在所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述初級(jí)線圈的第二端之間的隔直電容的電容值。
10.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述電容網(wǎng)絡(luò)的電容值為可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯(lián)在所述第一差分放大晶體管的輸出端與所述初級(jí)線圈的第一端之間的隔直電容的電容值的二分之一，和/或，所述電容網(wǎng)絡(luò)的電容值為可比較的推挽式射頻功率放大電路中串聯(lián)在所述第二差分放大晶體管的輸出端與所述初級(jí)線圈的第二端之間的隔直電容的電容值的二分之一。
11.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一差分放大晶體管為BJT管，包括基極、集電極和發(fā)射極，所述第一差分放大晶體管的基極接收輸入的第一射頻輸入信號(hào)，所述第一差分放大晶體管的集電極耦合至所述第一線圈段的第一端，所述第一差分放大晶體管的發(fā)射極接地；所述第二差分放大晶體管為BJT管，包括基極、集電極和發(fā)射極，所述第二差分放大晶體管的基極接收輸入的第二射頻輸入信號(hào)，所述第二差分放大晶體管的集電極耦合至所述第二線圈段的第二端，所述第二差分放大晶體管的發(fā)射極接地。
12.如權(quán)利要求1所述的推挽式射頻功率放大電路，其特征在于，所述第一巴倫的次級(jí)線圈的第一端輸出放大的第一射頻輸出信號(hào)，次級(jí)線圈的第二端輸出放大的第二射頻輸出信號(hào)；或者，所述第一巴倫的次級(jí)線圈的第一端輸出放大的射頻輸出信號(hào)，次級(jí)線圈的第二端接地。
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