[發(fā)明專利]非易失性存儲(chǔ)裝置和包括其的非易失性存儲(chǔ)系統(tǒng)

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111159083.5
• 申請(qǐng)日: 2021-09-30
• 公開（公告）號(hào): CN114300480A
• 公開（公告）日: 2022-04-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金智源;安在昊;黃盛珉;任峻成;成錫江
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L27/11582
• 分類號(hào): H01L27/11582;H01L27/1157;H01L27/11573
• 代理公司: 北京市立方律師事務(wù)所 11330
• 代理人: 李娜;王占杰

1.一種非易失性存儲(chǔ)裝置，所述非易失性存儲(chǔ)裝置包括：

襯底，所述襯底包括第一表面和在第一方向上與所述第一表面相對(duì)的第二表面；

公共源極線，所述公共源極線位于所述襯底的所述第一表面上；

多條字線，所述多條字線堆疊在所述公共源極線上；

第一絕緣圖案，所述第一絕緣圖案在與所述第一方向交叉的第二方向上與所述多條字線間隔開并且位于所述襯底中；

絕緣層，所述絕緣層位于所述襯底的所述第二表面上；

第一接觸插塞，所述第一接觸插塞穿透所述第一絕緣圖案并在所述第一方向上延伸；

第二接觸插塞，所述第二接觸插塞穿透所述絕緣層，在所述第一方向上延伸，并連接到所述第一接觸插塞；

上接合金屬，所述上接合金屬連接到所述第一接觸插塞并連接到電路元件；以及

第一輸入/輸出焊盤，所述第一輸入/輸出焊盤連接到所述第二接觸插塞并電連接到所述電路元件。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一絕緣圖案的側(cè)壁被所述襯底圍繞，并且

所述第一絕緣圖案在所述襯底的所述第一表面和所述襯底的所述第二表面上暴露。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一接觸插塞與所述第二接觸插塞在所述第二表面上接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一絕緣圖案在所述第二方向上的寬度大于所述第一接觸插塞在所述第二方向上的寬度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一絕緣圖案在所述第二方向上的寬度大于所述第二接觸插塞在所述第二方向上的寬度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一絕緣圖案在所述第一方向上的長度小于所述第一接觸插塞在所述第一方向上的長度。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，所述非易失性存儲(chǔ)裝置還包括：

第三接觸插塞，所述第三接觸插塞穿透所述第一絕緣圖案，在所述第一方向上延伸，并在所述第二方向上與所述第一接觸插塞間隔開；

第四接觸插塞，所述第四接觸插塞穿透所述絕緣層，在所述第一方向上延伸，在所述第二方向上與所述第二接觸插塞間隔開，并連接到所述第三接觸插塞；以及

第二輸入/輸出焊盤，所述第二輸入/輸出焊盤連接到所述第四接觸插塞并電連接到所述電路元件。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述第一接觸插塞和所述第三接觸插塞位于所述第一絕緣圖案中，并且

所述第二接觸插塞和所述第四接觸插塞位于所述絕緣層中。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，所述非易失性存儲(chǔ)裝置還包括虛設(shè)接觸插塞，所述虛設(shè)接觸插塞穿透所述第一絕緣圖案，在所述第一方向上延伸，并在所述第二方向上與所述第一接觸插塞間隔開。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，其中，所述虛設(shè)接觸插塞不與所述第二接觸插塞接觸。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的非易失性存儲(chǔ)裝置，所述非易失性存儲(chǔ)裝置還包括：

第二絕緣圖案，所述第二絕緣圖案位于所述襯底中并與所述第一絕緣圖案間隔開；

第三接觸插塞，所述第三接觸插塞穿透所述第二絕緣圖案并在所述第一方向上延伸；

第四接觸插塞，所述第四接觸插塞穿透所述絕緣層，在所述第一方向上延伸，并連接到所述第三接觸插塞；以及

第二輸入/輸出焊盤，所述第二輸入/輸出焊盤連接到所述第四接觸插塞并電連接到所述電路元件。