[發明專利]功率器件在審
| 申請號： | 202111157803.4 | 申請日： | 2021-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN115881716A | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發明（設計）人： | 劉利書 | 申請（專利權）人： | 美墾半導體技術有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/02 | 分類號： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270 | 代理人： | 劉欣;張穎玲 |
| 地址： | 400064 重*** | 國省代碼： | 重慶;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 功率 器件 | ||
1.一種功率器件，其特征在于，所述功率器件包括：
第一控制電極、第二控制電極、第一電極和第二電極；其中，所述第一電極與所述第二電極之間通過半導體材料連接；所述第二控制電極用于在所述第一控制電極上的電壓作用下，切換所述第一電極與所述第二電極之間的導通或截止狀態；
驅動電阻，連接在所述第一控制電極和第二控制電極之間；
靜電保護組件，連接在所述第一控制電極與所述第一電極之間，用于在所述第一控制電極上出現靜電電荷時導通并釋放所述靜電電荷。
2.根據權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述靜電保護組件，包括：串聯的第一靜電保護單元和第二靜電保護單元；
所述第二控制電極還連接在所述第一靜電保護單元和所述第二靜電保護單元之間。
3.根據權利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述靜電保護組件，包括：交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域。
4.根據權利要求2所述的功率器件，其特征在于，所述第一靜電保護單元由X組交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域構成，X大于或等于1；第二靜電保護單元由Y組交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域構成，Y大于或等于2。
5.根據權利要求1所述的功率器件，其特征在于，所述功率器件，還包括：半導體襯底；
氧化層，覆蓋在所述半導體襯底上；
多晶硅層，覆蓋在所述氧化層上；所述多晶硅層中包括第一摻雜區域和第二摻雜區域；所述第一摻雜區域用于形成所述靜電保護組件；所述第二摻雜區域用于形成所述驅動電阻。
6.根據權利要求5所述的功率器件，其特征在于，
所述多晶硅層上覆蓋有導電層；
所述第一控制電極、第二控制電極和第一電極分別位于所述導電層的不同導電區域；所述不同導電區域之間具有隔離槽。
7.根據權利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述導電層與所述多晶硅層之間還具有隔離層；
所述隔離層，包括：分立多個隔離區域；
所述隔離區域位于所述不同導電區域之間的所述隔離槽內。
8.根據權利要求6所述的功率器件，其特征在于，所述導電層中的所述第二控制電極還包括相互連接的第一接觸結構和第二接觸結構；
所述第一接觸結構用于連接所述靜電保護組件；
所述第二接觸結構用于連接所述驅動電阻。
9.根據權利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第一接觸結構與靜電保護組件的連接位置在第一靜電保護單元和第二靜電保護單元的交接區域。
10.根據權利要求8所述的功率器件，其特征在于，所述第二接觸結構與第二摻雜區域第一端的表面連接；所述第一控制電極與所述第二摻雜區域第二端的表面連接。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
