[發明專利]功率器件

在審

• 申請號: 202111157803.4
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN115881716A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 劉利書
• 申請（專利權）人: 美墾半導體技術有限公司
• 主分類號: H01L27/02
• 分類號: H01L27/02
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理有限公司 11270
• 代理人: 劉欣;張穎玲

本申請實施例公開了一種功率器件。所述功率器件包括：第一控制電極、第二控制電極、第一電極和第二電極；其中，所述第一電極與所述第二電極之間具有半導體結構；所述第二控制電極用于在所述第一控制電極上的電壓作用下，切換所述第一電極與所述第二電極之間的導通或截止狀態。

技術領域

本申請實施例涉及半導體器件領域，涉及但不限于一種功率器件。

背景技術

在半導體功率器件的整個生命周期中，從制造、封裝、運輸，甚至在完成的半導體功率器件中，都時刻面臨著靜電放電(Electro Static Discharge，ESD)的沖擊。當半導體功率器件積累的靜電荷通過器件的電極流入器件的內部時，產生的瞬間電流或電壓，會對器件造成損壞甚至失效。

因此，如何對半導體功率器件進行ESD保護，成為了亟需解決的問題。

發明內容

有鑒于此，本申請實施例提供一種功率器件。

本申請實施例提供一種功率器件，包括：

第一控制電極、第二控制電極、第一電極和第二電極；其中，所述第一電極與所述第二電極之間通過半導體材料連接；所述第二控制電極用于在所述第一控制電極上的電壓作用下，切換所述第一電極與所述第二電極之間的導通或截止狀態；

驅動電阻，連接在所述第一控制電極和第二控制電極之間；

靜電保護組件，連接在所述第一控制電極與所述第一電極之間，用于在所述第一控制電極上出現靜電電荷時導通并釋放所述靜電電荷。

在一些實施例中，所述靜電保護組件，包括：串聯的第一靜電保護單元和第二靜電保護單元；

所述第二控制電極還連接在所述第一靜電保護單元和所述第二靜電保護單元之間。

在一些實施例中，所述靜電保護組件，包括：交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域。

在一些實施例中，所述第一靜電保護單元由X組交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域構成；第二靜電保護單元由Y組交替排布的P型半導體區域和N型半導體區域構成。

在一些實施例中，所述功率器件，還包括：半導體襯底；

氧化層，覆蓋在所述半導體襯底上；

多晶硅層，覆蓋在所述氧化層上；所述多晶硅層中包括第一摻雜區域和第二摻雜區域；所述第一摻雜區域用于形成所述靜電保護組件；所述第二摻雜區域用于形成所述驅動電阻。

在一些實施例中，所述多晶硅層上覆蓋有導電層；

所述第一控制電極、第二控制電極和第一電極分別位于所述導電層的不同導電區域；所述不同導電區域之間具有隔離槽。

在一些實施例中，所述導電層與所述多晶硅層之間還具有隔離層；

所述隔離層，包括：分立多個隔離區域；

所述隔離區域位于所述不同導電區域之間的所述隔離槽內。

在一些實施例中，所述導電層中的所述第二控制電極還包括相互連接的第一接觸結構和第二接觸結構；

所述第一接觸結構用于連接所述靜電保護組件；

所述第二接觸結構用于連接所述驅動電阻。

在一些實施例中，所述第一接觸結構與靜電保護組件的連接位置在第一靜電保護單元和第二靜電保護單元的交接區域。

在一些實施例中，所述第二接觸結構與第二摻雜區域第一端的表面連接；所述第一控制電極與所述第二摻雜區域第二端的表面連接。