[發明專利]對向靶磁控濺射無損傷薄膜沉積系統在審
| 申請號： | 202111157623.6 | 申請日： | 2021-09-30 |
| 公開（公告）號： | CN113913775A | 公開（公告）日： | 2022-01-11 |
| 發明（設計）人： | 黃仕華;李林華;郝亞非 | 申請（專利權）人： | 浙江師范大學 |
| 主分類號： | C23C14/56 | 分類號： | C23C14/56;C23C14/35;C23C14/08 |
| 代理公司： | 杭州之江專利事務所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 朱楓 |
| 地址： | 321004 *** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 磁控濺射 損傷 薄膜 沉積 系統 | ||
【權利要求書】：
1.對向靶磁控濺射無損傷薄膜沉積系統，包括襯底和兩個對向靶，其特征在于：兩個對向靶對稱布置于襯底前方，并分別與襯底形成正、負250~300的夾角，在對向靶與襯底之間插入了一個網孔狀金屬板作為陽極。
2.如權利要求1所述的對向靶磁控濺射無損傷薄膜沉積系統，其特征在于：襯底兩側設置有磁場。
3.如權利要求1或2所述的對向靶磁控濺射無損傷薄膜沉積系統，其特征在于：兩個對向靶之間還具有一實心金屬板作為陽極，與所述的網孔狀金屬板平行，設置在網孔狀金屬板相對于襯底的另一側。
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