[發(fā)明專利]一種固態(tài)電容器及其制作方法

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• 申請日: 2021-09-30
• 公開（公告）號: CN113764193A
• 公開（公告）日: 2021-12-07
• 發(fā)明（設計）人: 邢孟江
• 申請（專利權）人: 電子科技大學長三角研究院（湖州）
• 主分類號: H01G9/15
• 分類號: H01G9/15;H01G9/045;H01G9/048;H01G9/14;H01G9/032
• 代理公司: 北京中創(chuàng)博騰知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 11636
• 代理人: 王婷婷

1.一種固態(tài)電容器，其特征在于，包括從上到下的的頂電極層、固態(tài)電解質、陽極化氧化鋁層和多孔鋁電極層，所述多孔鋁電極層為金屬鋁電極形成的電極結構，所述電極結構的單表面具有孔隙率為5%-90%的孔洞，所述陽極化氧化鋁層覆蓋在所述孔洞內壁表面及所述多孔鋁電極層的非光滑面，所述固態(tài)電解質填充在所述孔洞內并向上延伸生長。

2.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述孔洞為規(guī)則排列或非規(guī)則排列的非貫穿孔。

3.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述孔洞的形狀為長方形、圓形、橢圓形或不規(guī)則形狀。

4.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述孔洞的大小為50nm-500um，深度為10nm-100um。

5.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述陽極化氧化鋁層的厚度為5nm-100nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述頂電極層的厚度為50 nm-15um。

7.根據(jù)權利要求1所述的固態(tài)電容器，其特征在于：所述固態(tài)電解質向上延伸生長50nm-500nm。

8.一種制作如權利要求1-7所述的電容器的方法，其特征在于：包括以下步驟

（1）通過刻蝕或壓制的方法形成單表面具有孔洞的多孔鋁電極層；

（2）將所述多孔鋁電極層的光滑面連接電源正極，電源負極連接碳棒進行陽極氧化得到陽極化氧化鋁層；

（3）對固態(tài)電解質進行沉積，使得所述孔洞填滿并向上延伸生長；

（4）通過物理增材制造方法在所述固態(tài)電解質上進行頂電極層的制備。

9.根據(jù)權利要求8所述的制作方法，其特征在于：還包括對生長沉積的固態(tài)電解質做平坦化處理。