[發(fā)明專(zhuān)利]一種電致發(fā)光LED及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111150430.8
• 申請(qǐng)日: 2021-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113903867A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白雪;王震宇;沈欣宇;張宇;于偉泳;宋宏偉;武振楠;陸敏
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類(lèi)號(hào): H01L51/50
• 分類(lèi)號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳眾邦專(zhuān)利代理有限公司 44545
• 代理人: 李茂松

本發(fā)明適用于電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種電致發(fā)光LED及其制備方法，所述電致發(fā)光LED包括ITO玻璃作為陰極；n型ZnO/聚乙烯亞胺作為電子傳輸層和空穴阻擋層；4－三氟甲基苯乙胺氫碘酸鹽鈍化的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)作為發(fā)光層；P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜作為空穴傳輸層和電子阻擋層；MoO₃/Ag作為陽(yáng)極。本發(fā)明中的電致發(fā)光LED及其制備方法通過(guò)采用CF₃PEAI鈍化CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)，得到了表面缺陷較少、量子效率高、穩(wěn)定性較好及性能優(yōu)異的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)，基于這種鈣鈦礦量子點(diǎn)作為發(fā)光層，制備出了高效的紅光發(fā)射電致發(fā)光LED。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于電致發(fā)光器件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種電致發(fā)光LED及其制備方法。

背景技術(shù)

近年來(lái)，由于具有在可見(jiàn)光范圍內(nèi)可調(diào)的帶隙、窄的半峰寬以及優(yōu)異的光電性能，全無(wú)機(jī)鹵化物鈣鈦礦量子點(diǎn)已經(jīng)成為應(yīng)用于光電器件的最有潛力的材料之一。

但是，之前的研究表明，在溶液法合成的鹵化銫鉛鈣鈦礦量子點(diǎn)中，量子點(diǎn)表面不可避免地會(huì)存在與鉛的懸鍵或者鹵素離子空位相關(guān)的缺陷態(tài)，同時(shí)鈣鈦礦量子點(diǎn)高的比表面積以及容易脫落的表面配體使得外界環(huán)境如水和氧氣對(duì)量子點(diǎn)的性能產(chǎn)生顯著的不良影響。

在傳統(tǒng)的熱注入法合成鈣鈦礦量子點(diǎn)中，通常使用油酸油胺作為鈣鈦礦量子點(diǎn)表面的配體，然而油酸和油胺與量子點(diǎn)間的連接并不穩(wěn)定，容易從量子點(diǎn)的表面脫落，這會(huì)導(dǎo)致量子點(diǎn)光電性能及其穩(wěn)定性的降低。同時(shí)油酸和油胺長(zhǎng)鏈配體的不良的導(dǎo)電性會(huì)進(jìn)一步影響鈣鈦礦量子點(diǎn)LED器件的性能。并且，量子點(diǎn)表面通常會(huì)存在一些鹵素離子空位，這些表面缺陷的存在會(huì)促使量子點(diǎn)中非輻射復(fù)合的增加并且進(jìn)一步影響了鈣鈦礦量子點(diǎn)器件中載流子的傳輸，對(duì)器件性能造成不利的影響。

因此，針對(duì)以上現(xiàn)狀，迫切需要開(kāi)發(fā)一種電致發(fā)光LED及其制備方法，以克服當(dāng)前實(shí)際應(yīng)用中的不足。

發(fā)明內(nèi)容

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種電致發(fā)光LED及其制備方法，以解決上述背景技術(shù)中的問(wèn)題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

一種電致發(fā)光LED，采用CF₃PEAI鈍化CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)表面缺陷的材料作為發(fā)光層制備紅光發(fā)射的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)電致發(fā)光LED；所述電致發(fā)光LED包括陽(yáng)極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、空穴阻擋層和陰極。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述發(fā)光層為采用4－三氟甲基苯乙胺氫碘酸鹽鈍化的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述陰極為ITO玻璃。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述陽(yáng)極為MoO₃/Ag。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述電子傳輸層和空穴阻擋層為n型ZnO/聚乙烯亞胺。

作為本發(fā)明進(jìn)一步的技術(shù)方案，所述空穴傳輸層和電子阻擋層為P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜。

一種電致發(fā)光LED制備方法，具體步驟如下：

步驟1：將一定量的油酸、碳酸銫、十八烯放入100ml的三頸瓶中，在120℃下真空干燥一小時(shí)，之后在惰性氣體N₂的保護(hù)下加熱至150℃并保持持續(xù)攪拌一段時(shí)間直到溶液澄清透明，得到前驅(qū)體溶液；