[發(fā)明專利]一種電致發(fā)光LED及其制備方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111150430.8
• 申請(qǐng)日: 2021-09-29
• 公開（公告）號(hào): CN113903867A
• 公開（公告）日: 2022-01-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 白雪;王震宇;沈欣宇;張宇;于偉泳;宋宏偉;武振楠;陸敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 吉林大學(xué)
• 主分類號(hào): H01L51/50
• 分類號(hào): H01L51/50;H01L51/56
• 代理公司: 深圳眾邦專利代理有限公司 44545
• 代理人: 李茂松

1.一種電致發(fā)光LED，其特征在于，采用CF₃PEAI鈍化CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)表面缺陷的材料作為發(fā)光層制備紅光發(fā)射的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)電致發(fā)光LED；所述電致發(fā)光LED包括陽極、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層、空穴阻擋層和陰極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光LED，其特征在于，所述發(fā)光層為采用4－三氟甲基苯乙胺氫碘酸鹽鈍化的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光LED，其特征在于，所述陰極為ITO玻璃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光LED，其特征在于，所述陽極為MoO₃/Ag。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光LED，其特征在于，所述電子傳輸層和空穴阻擋層為n型ZnO/聚乙烯亞胺。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光LED，其特征在于，所述空穴傳輸層和電子阻擋層為P型4，4’，4”－三(咔唑－9－基)苯胺薄膜。

7.一種電致發(fā)光LED制備方法，其特征在于，具體制備步驟如下：

步驟1：將一定量的油酸、碳酸銫、十八烯放入100ml的三頸瓶中，在120℃下真空干燥一小時(shí)，之后在惰性氣體N₂的保護(hù)下加熱至150℃并保持持續(xù)攪拌一段時(shí)間直到溶液澄清透明，得到前驅(qū)體溶液；

步驟2：將一定量的碘化鉛、4－三氟甲基苯乙胺氫碘酸鹽、十八烯放入50ml的三頸瓶中，在120℃下真空干燥一小時(shí)，向反應(yīng)體系中注入一定量的油酸和油胺溶液，等到反應(yīng)溶液變得透明后，在惰性氣體的保護(hù)下升溫至170℃，迅速地向反應(yīng)體系中注入一定量上述制備的前驅(qū)體溶液，反應(yīng)五秒后，快速將反應(yīng)溶液用冰水浴冷卻至室溫，隨后將得到的反應(yīng)物離心分散到非極性溶劑中，獲得了CF₃PEAI鈍化的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)；

步驟3：將ZnO量子點(diǎn)以每分鐘1000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速，旋涂于ITO玻璃上，旋涂時(shí)間為40s，在自然環(huán)境中200℃下退火10分鐘，然后將旋涂有ZnO量子點(diǎn)薄膜的ITO玻璃片放入充滿氮?dú)獾氖痔紫渲校瑢⑷芙庠?－甲氧基乙醇溶液中的PEI以每分鐘3000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速，旋涂于ZnO量子點(diǎn)薄膜上，旋涂時(shí)間為50s，在125℃下退火10分鐘，其中：ZnO層為電子傳輸層，PEI層為空穴阻擋層；

步驟4：將CF₃PEAI鈍化的CsPbI₃鈣鈦礦量子點(diǎn)以每分鐘1000轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)速，旋涂于PEI層上，旋涂時(shí)間為50s，這一層作為發(fā)光層；

步驟5：將上述得到的結(jié)構(gòu)放入熱蒸發(fā)鍍膜機(jī)中，抽真空至1×10^-7torr后，開始蒸鍍，依次將TCTA、MoO₃和Ag層通過鍍膜機(jī)蒸鍍到器件上，其中：TCTA層為空穴傳輸層和電子阻擋層。