[發(fā)明專(zhuān)利]諧振器腔體薄膜的形成方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111150301.9
• 申請(qǐng)日: 2021-09-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113921379A
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-01-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 王劍敏;葛哲瑋
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 分類(lèi)號(hào): H01L21/02
• 代理公司: 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211
• 代理人: 羅雅文

本申請(qǐng)公開(kāi)了一種諧振器腔體薄膜的形成方法，涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。該諧振器腔體薄膜的形成方法包括在生長(zhǎng)非晶硅之前，形成一層300A?1000A的低應(yīng)力二氧化硅薄膜，再形成一層30A?150A的低淀積速率二氧化硅薄膜；解決了目前諧振器腔體的二氧化硅薄膜上層非晶硅薄膜表面不平整的問(wèn)題；達(dá)到了兼顧低應(yīng)力和二氧化硅低淀積速率，提升非晶硅薄膜表面平整度和均一性的效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，具體涉及一種諧振器腔體薄膜的形成方法。

背景技術(shù)

非晶硅被用于紅外諧振器的腔體制作，在制作過(guò)程中，形成非晶硅薄膜之前，先形成一層二氧化硅薄膜。

非晶硅和之下的形成了二氧化硅薄膜的襯底的應(yīng)力匹配直接影響紅外諧振器的腔體平整度及均一性，同時(shí)二氧化硅薄膜表面狀態(tài)又會(huì)影響到非晶硅的生長(zhǎng)，但低應(yīng)力和低淀積速率很難兼顧，如圖1所示，y1y2，y4y3，x1x2，y1、y2、y3、y4、x1、x2的值根據(jù)實(shí)際情況確定，Power VS Stress與Depo(淀積)Rate呈相反趨勢(shì)。

如圖2所示，高淀積速率形成的二氧化硅薄膜會(huì)導(dǎo)致其上的非晶硅薄膜表面粗糙；如圖3所示，高應(yīng)力的二氧化硅薄膜會(huì)導(dǎo)致其上層形成的非晶硅薄膜的均一性差。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決相關(guān)技術(shù)中的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N諧振器腔體薄膜的形成方法。該技術(shù)方案如下：

一方面，本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種諧振器腔體薄膜的形成方法，該方法包括：

在生長(zhǎng)非晶硅之前，形成一層300A-1000A的低應(yīng)力二氧化硅薄膜，再形成一層30A-150A的低淀積速率二氧化硅薄膜。

進(jìn)一步地，低應(yīng)力二氧化硅薄膜的應(yīng)力為-50MPa至-150MPa。

進(jìn)一步地，在形成低應(yīng)力二氧化硅薄膜時(shí)，工藝腔內(nèi)的淀積溫度為350℃至450℃，淀積壓力為2Torr至4Torr，高頻功率為100W至500W，硅烷流量為200sccm至500sccm，N₂O的流量為3000sccm至5000sccm，淀積速率為8000A/min至12000A/min。

進(jìn)一步地，在形成低淀積速率二氧化硅薄膜時(shí)，工藝腔內(nèi)的淀積溫度為350℃至450℃，淀積壓力為2Torr至4Torr，高頻功率為100W至500W，硅烷流量為10sccm至150sccm，N₂O的流量為3000sccm至5000sccm，淀積速率為1000A/min至5000A/min。

本申請(qǐng)技術(shù)方案，至少包括如下優(yōu)點(diǎn)：

在生長(zhǎng)非晶硅之前，以正常淀積速率生長(zhǎng)一層300-1000A的低應(yīng)力二氧化硅薄膜，在低應(yīng)力二氧化硅薄膜表面生長(zhǎng)一層較薄(30-150A)的低淀積速率二氧化硅,這樣可以兼顧整體低應(yīng)力和表面低淀積速率。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)具體實(shí)施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施方式，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是Power VS Stress與Depo Rate的曲線圖；

圖2是以現(xiàn)有工藝形成的非晶硅薄膜對(duì)應(yīng)的像素圖；

圖3是以現(xiàn)有工藝形成的非晶硅薄膜對(duì)應(yīng)的剖面SEM圖；

圖4是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種諧振器腔體薄膜的形成方法的流程圖；

圖5是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的諧振器腔體薄膜形成過(guò)程中的薄膜剖視圖；

圖6是本申請(qǐng)實(shí)施例提供的諧振器腔體薄膜形成過(guò)程中的薄膜剖視圖；