[發明專利]諧振器腔體薄膜的形成方法在審

申請號：	202111150301.9	申請日：	2021-09-29
公開（公告）號：	CN113921379A	公開（公告）日：	2022-01-11
發明（設計）人：	王劍敏;葛哲瑋	申請（專利權）人：	上海華虹宏力半導體制造有限公司
主分類號：	H01L21/02	分類號：	H01L21/02
代理公司：	上海浦一知識產權代理有限公司 31211	代理人：	羅雅文
地址：	201203 上海市浦東***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	諧振器薄膜形成方法
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【權利要求書】：

1.一種諧振器腔體薄膜的形成方法，其特征在于，所述方法包括：

在生長非晶硅之前，形成一層300A-1000A的低應力二氧化硅薄膜，再形成一層30A-150A的低淀積速率二氧化硅薄膜。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述低應力二氧化硅薄膜的應力為-50MPa至-150MPa。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，在形成所述低應力二氧化硅薄膜時，工藝腔內的淀積溫度為350℃至450℃，淀積壓力為2Torr至4Torr，高頻功率為100W至500W，硅烷流量為200sccm至500sccm，N₂O的流量為3000sccm至5000sccm，淀積速率為8000A/min至12000A/min。

4.根據權利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，在形成所述低淀積速率二氧化硅薄膜時，工藝腔內的淀積溫度為350℃至450℃，淀積壓力為2Torr至4Torr，高頻功率為100W至500W，硅烷流量為10sccm至150sccm，N₂O的流量為3000sccm至5000sccm，淀積速率為1000A/min至5000A/min。

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