[發(fā)明專利]發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及包括其的顯示設備

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111149780.2
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN114388671A
• 公開（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設計）人: 李昌熙;金東旭;金世勳;高孝珍;郭東勳;金英一;金志允
• 申請（專利權(quán)）人: 三星顯示有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00;H01L27/15
• 代理公司: 北京英賽嘉華知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 11204
• 代理人: 王達佐;劉錚

本申請涉及發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及包括發(fā)光元件的顯示設備。發(fā)光元件包括：第一表面，與發(fā)光元件的一端相對應；第二表面，與發(fā)光元件的另一端相對應；第一半導體層，與第一表面相鄰，第一半導體層包括第一類型的半導體；第二半導體層，與第二表面相鄰，第二半導體層包括與第一類型的半導體不同的第二類型的半導體；以及有源層，設置在第一半導體層與第二半導體層之間。第一表面的面積大于第二表面的面積，并且第一表面與第二表面之間的距離短于由第一表面限定的長度。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2020年10月6日向韓國知識產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2020-0129012號韓國專利申請的優(yōu)先權(quán)和權(quán)益，其全部內(nèi)容通過引用并入本文中。

技術領域

本公開涉及發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及包括發(fā)光元件的顯示設備。

背景技術

近年來，隨著對信息顯示的興趣增加，對顯示設備的研究和開發(fā)變得持續(xù)進行。

發(fā)明內(nèi)容

本公開可以提供其中可以提高發(fā)光效率的發(fā)光元件、發(fā)光元件的制造方法以及包括發(fā)光元件的顯示設備，可以防止發(fā)光元件中的短路缺陷，并且可以提高噴墨工藝效率。

所認識到的問題并不限于本文中描述的問題，并且本領域技術人員將從以下描述中清楚地理解可能未被提及的其他技術問題。

根據(jù)本公開的實施方式，發(fā)光元件可以包括：第一表面，與發(fā)光元件的一端相對應；第二表面，與發(fā)光元件的另一端相對應；第一半導體層，與第一表面相鄰，第一半導體層包括第一類型的半導體；第二半導體層，與第二表面相鄰，第二半導體層包括與第一類型的半導體不同的第二類型的半導體；以及有源層，設置在第一半導體層與第二半導體層之間。第一表面的面積可以大于第二表面的面積，并且第一表面與第二表面之間的距離可以短于由第一表面限定的長度。

根據(jù)實施方式，第一表面和第二表面可以各自具有圓形形狀或n-多邊形形狀(n可以是3或更大的整數(shù))。

根據(jù)實施方式，發(fā)光元件可以具有截錐體形狀和平截頭棱錐體形狀中的至少一種。

根據(jù)實施方式，第一表面和第二表面可以各自具有圓形形狀，并且由第一表面限定的長度可以是第一表面的直徑。

根據(jù)實施方式，第一表面與第二表面之間的距離可以是第一表面的直徑的約0.9倍或更小。

根據(jù)實施方式，第一表面和第二表面可以各自具有n-多邊形形狀(n是可以3或更大的整數(shù))，并且由第一表面限定的長度可以是第一表面的最長邊的長度。

根據(jù)實施方式，第一表面和第二表面可以各自具有n-多邊形形狀(n可以是3或更大的整數(shù))，并且由第一表面限定的長度可以由以下方程式限定：

方程式：其中，L是由第一表面限定的長度，x是相對于第一表面的內(nèi)接圓的直徑，并且y是相對于第一表面的外接圓的直徑。

根據(jù)實施方式，發(fā)光元件的體積可以是約3μm³或更小。

根據(jù)實施方式，發(fā)光元件的母線與第一表面可以具有角度，并且該角度可以小于約60度。

根據(jù)實施方式，發(fā)光元件的設置在側(cè)表面上的表面中的一個與第一表面具有角度，并且該角度可以小于約60度。

根據(jù)本公開的另一實施方式，制造發(fā)光元件的方法可以包括：制備堆疊襯底；在堆疊襯底上形成犧牲層；在犧牲層上形成包括第一類型的半導體的第一半導體層；在第一半導體層上形成有源層；在有源層上形成包括第二類型的半導體的第二半導體層；以及在從第二半導體層朝向第一半導體層的方向上執(zhí)行刻蝕工藝以去除第一半導體層、有源層和第二半導體層中的每個的至少一部分。可以執(zhí)行刻蝕工藝使得刻蝕區(qū)域的面積隨著刻蝕深度的增加而減小。