[發明專利]發光元件、發光元件的制造方法以及包括其的顯示設備在審
| 申請號： | 202111149780.2 | 申請日： | 2021-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN114388671A | 公開（公告）日： | 2022-04-22 |
| 發明（設計）人： | 李昌熙;金東旭;金世勳;高孝珍;郭東勳;金英一;金志允 | 申請（專利權）人： | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人： | 王達佐;劉錚 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光 元件 制造 方法 以及 包括 顯示 設備 | ||
1.一種發光元件，包括：
第一表面，與所述發光元件的一端相對應；
第二表面，與所述發光元件的另一端相對應；
第一半導體層，與所述第一表面相鄰，所述第一半導體層包括第一類型的半導體；
第二半導體層，與所述第二表面相鄰，所述第二半導體層包括與所述第一類型的半導體不同的第二類型的半導體；以及
有源層，設置在所述第一半導體層與所述第二半導體層之間，其中
所述第一表面的面積大于所述第二表面的面積，以及
所述第一表面與所述第二表面之間的距離短于由所述第一表面限定的長度。
2.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述第一表面和所述第二表面各自具有圓形形狀或n-多邊形形狀，其中n是3或更大的整數。
3.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述發光元件具有截錐體形狀和平截頭棱錐體形狀中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的發光元件，其中
所述第一表面和所述第二表面各自具有圓形形狀，以及
由所述第一表面限定的所述長度是所述第一表面的直徑。
5.根據權利要求4所述的發光元件，其中，所述第一表面與所述第二表面之間的距離是所述第一表面的所述直徑的0.9倍或更小。
6.根據權利要求1所述的發光元件，其中
所述第一表面和所述第二表面各自具有n-多邊形形狀，其中n是3或更大的整數，以及
由所述第一表面限定的所述長度是所述第一表面的最長邊的長度。
7.根據權利要求1所述的發光元件，其中
所述第一表面和所述第二表面各自具有n-多邊形形狀，其中n是3或更大的整數，以及
由所述第一表面限定的所述長度由以下方程式限定：
其中，L是由所述第一表面限定的所述長度，x是相對于所述第一表面的內接圓的直徑，并且y是相對于所述第一表面的外接圓的直徑。
8.根據權利要求1所述的發光元件，其中，所述發光元件的體積是3μm3或更小。
9.根據權利要求4所述的發光元件，其中
所述發光元件的母線與所述第一表面具有角度，以及
所述角度小于60度。
10.根據權利要求6所述的發光元件，其中
所述發光元件的設置在側表面上的表面中的一個與所述第一表面具有角度，以及
所述角度小于60度。
11.一種制造發光元件的方法，包括：
制備堆疊襯底；
在所述堆疊襯底上形成犧牲層；
在所述犧牲層上形成包括第一類型的半導體的第一半導體層；
在所述第一半導體層上形成有源層；
在所述有源層上形成包括第二類型的半導體的第二半導體層；以及
在從所述第二半導體層朝向所述第一半導體層的方向上執行刻蝕工藝以去除所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層中的每個的至少一部分，
其中，執行所述刻蝕工藝使得刻蝕區域的面積隨著刻蝕深度的增加而減小。
12.根據權利要求11所述的方法，其中，在執行所述刻蝕工藝時，形成其中所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層彼此順序地堆疊的發光堆疊圖案。
13.根據權利要求12所述的方法，還包括：
從所述堆疊襯底和所述犧牲層分離所述發光堆疊圖案，
其中，在分離所述發光堆疊圖案之后，所述發光元件形成為具有截錐體或平截頭棱錐體的形狀。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于三星顯示有限公司，未經三星顯示有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111149780.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：用于從胺中去除金屬物種的膜
- 下一篇：半導體制造設備的控制系統及其控制方法
