[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制造方法及其制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111148814.6
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113903830B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷仲禮
• 申請（專利權(quán)）人: 德鴻半導(dǎo)體設(shè)備（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/67;H01L21/203;H01L21/205
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

1.一種太陽能電池的制造裝置，其特征在于，包括：

運(yùn)輸腔，所述運(yùn)輸腔內(nèi)設(shè)有縱向形狀的傳輸軌道，所述縱向形狀的傳輸軌道具有位于所述傳輸軌道兩側(cè)的第一側(cè)和第二側(cè)；

可移動框架并且具有框架開口；

薄膜粘附到可移動框架并且具有多個薄膜開口，框架開口暴露多個薄膜開口，每個薄膜開口暴露附接至薄膜的對應(yīng)基片，薄膜具有多個薄膜開口，多個薄膜開口中的每個薄膜開口處均設(shè)置一個基片。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括前薄膜站；

所述前薄膜站具有位于所述傳輸軌道的第一側(cè)上的第一電極，并且第二電極位于所述傳輸軌道的第二側(cè)上，所述第一電極和所述第二電極被配置為朝向所述傳輸軌道移動以形成容納所述基片的封閉空間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造裝置，其特征在于，所述前薄膜站被配置為在基片的第一表面上形成前薄膜層。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括背薄膜站；

所述背薄膜站具有位于所述傳輸軌道的所述第二側(cè)上的第一電極，以及位于所述傳輸軌道的所述第一側(cè)上的第二電極，所述背薄膜站的所述第一電極和所述背薄膜站的所述第二電極被配置為朝向所述傳輸軌道移動以形成容納所述基片的封閉空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造裝置，其特征在于，所述背薄膜站被配置為在所述基片的背表面上形成背薄膜層。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造裝置，其特征在于，所述前薄膜站被配置成在所述背薄膜站形成所述背薄膜層之前形成所述前薄膜層。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造裝置，其特征在于，所述背薄膜站被配置為在所述前薄膜站形成所述前薄膜層之前形成所述背薄膜層。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括制備站和制絨站；

其中，所述制備站和所述制絨站都被布置在所述前薄膜站和所述背薄膜站之前，并且所述制絨站被配置為在所述基片的前表面和后表面上提供紋理化處理。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括磁控濺射站，所述磁控濺射站被配置成在所述基片由所述前薄膜站和所述背薄膜站處理之后處理所述基片。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造裝置，其特征在于，所述磁控濺射站包括第一磁控濺射設(shè)備和第二磁控濺射設(shè)備。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造裝置，其特征在于，第一磁控濺射設(shè)備被配置為面對基片的第一表面，并且被配置為在基片的第一表面上形成前導(dǎo)電層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造裝置，其特征在于，所述第二磁控濺射設(shè)備被配置為面對所述基片的背表面，并且被配置為在所述基片的所述背表面上形成背導(dǎo)電層。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括隔離柵站，該隔離柵站配置用于分別在相鄰基片之間的薄膜的第一表面和后表面上布置隔離柵格器件。

14.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制造裝置，其特征在于，所述制絨站包括干蝕刻設(shè)備。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造裝置，其特征在于，所述制絨站位于準(zhǔn)備站和前/背薄膜站之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造裝置，其特征在于，所述隔離柵格器件的材料包括導(dǎo)體材料和/或膠帶材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制造裝置，其特征在于，所述制造裝置還包括沖壓站，所述沖壓站被配置為在相鄰基片之間形成穿過所述薄膜的通孔。