[發(fā)明專利]一種太陽能電池的制造方法及其制造裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111148814.6
• 申請日: 2021-09-29
• 公開（公告）號: CN113903830B
• 公開（公告）日: 2023-07-25
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 雷仲禮
• 申請（專利權(quán)）人: 德鴻半導(dǎo)體設(shè)備（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L21/67;H01L21/203;H01L21/205
• 代理公司: 上海恒銳佳知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31286
• 代理人: 黃海霞

本發(fā)明提供一種太陽能電池的制造裝置、方法及太陽能電池組件，該太陽能電池的制造裝置包括：運輸腔，所述運輸腔內(nèi)設(shè)有縱向形狀的傳輸軌道，所述縱向形狀的傳輸軌道具有位于所述傳輸軌道兩側(cè)的第一側(cè)和第二側(cè)；可移動框架并且具有框架開口；薄膜粘附到可移動框架并且具有多個薄膜開口，框架開口暴露多個薄膜開口，每個薄膜開口暴露附接至薄膜的對應(yīng)基片，該方法減少太陽能電池制造裝置的占地面積，節(jié)約成本。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及太陽能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種太陽能電池的制造方法及其制造裝置。

背景技術(shù)

太陽能電池也稱為光伏電池，是利用光伏效應(yīng)將太陽能輻射直接轉(zhuǎn)化為電能的發(fā)電技術(shù)，其具有資源充足、清潔、安全、使用壽命長等優(yōu)點，被認(rèn)為是最具有前景的可再生能源技術(shù)之一。

目前太陽能電池中的硅異質(zhì)結(jié)電池具有低溫制備、工藝步驟簡單、溫度系數(shù)優(yōu)越、產(chǎn)品穩(wěn)定性好等優(yōu)點，有望成為光伏行業(yè)的主流技術(shù)之一。該硅異質(zhì)結(jié)電池包括：單晶硅基片，位于單晶硅基片正面和背面的本征層，正面本征層上的N型摻雜層，背面本征層上的P型摻雜層，位于N型摻雜層上的導(dǎo)電透明層和P型摻雜層上的導(dǎo)電透明層。

然而，目前用于制備硅異質(zhì)結(jié)電池的現(xiàn)有系統(tǒng)占地面積大且成本高昂，這是因為將系統(tǒng)分解成若干段反應(yīng)室并要求自動化設(shè)備將基片分配到基片載體上，然后再處理之后將基片收集回去。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明提供一種太陽能電池的制造方法及其制造裝置，該方法能夠避免翻轉(zhuǎn)基片，以減少太陽能電池制造裝置的占地面積，節(jié)約成本。

第一方面，本發(fā)明提供一種用于太陽能電池的制造裝置，包括：包含框架開口的框架；以及薄膜，所述薄膜被配置成耦合到所述框架且覆蓋所述框架開口的至少一部分，所述薄膜包括薄膜開口，其中所述薄膜開口具有等于或小于所述框架開口的框架開口面積的薄膜開口面積；其中所述薄膜經(jīng)配置以用于與所述基片耦合，其中當(dāng)所述基片與所述薄膜耦合時，所述基片覆蓋所述薄膜開口且其中所述薄膜經(jīng)配置以將所述基片維持在相對于所述框架的設(shè)定位置，且其中所述薄膜開口面積小于所述基片的總面積。

本發(fā)明提供的太陽能電池的制造裝置的有益效果在于：通過在基片周圍設(shè)置薄膜，薄膜起到屏障作用，可以避免在基片正面等離子沉積過程中等離子擴散到基片背面，以及避免在基片背面等離子沉積過程中等離子擴散到基片正面，而且，因為框架上設(shè)有薄膜，所以可以在框架上的基片的正面和背面完成等離子沉積，從而能夠避免翻轉(zhuǎn)基片，以提高太陽能電池組件的成品質(zhì)量。

可選地，所述裝置還包括所述基片，其中所述基片耦合到所述薄膜并且覆蓋所述薄膜開口。

可選地，基片經(jīng)由粘合劑或經(jīng)由一個或多個夾具耦合到薄膜。

可選地，當(dāng)所述薄膜耦合到所述框架時，所述薄膜處于張力狀態(tài)。

可選地，所述薄膜至少一部分是太陽能電池的部件。

可選地，所述裝置還包括傳輸軌道，所述傳輸軌道被配置為在所述薄膜耦合到所述框架時輸送所述框架，以及在所述基片耦合到所述薄膜時輸送所述框架。傳輸軌道使得框架能夠沿著傳輸路徑傳輸，或者說，傳輸軌道使得框架從一個處理站移動到下一個處理站。

可選地，所述框架包括第一磁體，并且其中所述傳輸軌道包括第二磁體，所述第二磁體被配置為與所述框架的所述第一磁體相互作用，以將所述框架保持在相對于所述傳輸軌道的某個位置，第一磁體和第二磁體的作用在于使得框架保持垂直取向。

可選地，所述裝置還包括多個處理站，其中所述傳輸軌道被配置為按順序地將所述框架，所述薄膜和所述基片移動到所述處理站。