[發(fā)明專利]半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111146244.7
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN113871283A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 郭春
• 申請（專利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01J37/32
• 分類號: H01J37/32
• 代理公司: 北京國昊天誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11315
• 代理人: 高東

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室，涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域。該工藝腔室包括腔體、蓋體和內(nèi)襯，腔體的進氣側(cè)具有開口端，開口端設(shè)置有安裝臺，安裝臺凸出并環(huán)設(shè)于腔體的內(nèi)側(cè)壁；蓋體蓋合于開口端，且蓋體與開口端密封配合；內(nèi)襯設(shè)置于腔體內(nèi)，內(nèi)襯與安裝臺可拆卸連接。該方案能解決工藝腔室內(nèi)的維護難度大的問題。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體工藝工程中，工藝腔室內(nèi)的工藝腔體電離后具有腐蝕性，容易造成工藝腔室內(nèi)的內(nèi)襯腐蝕，進而需要定期維護或更換內(nèi)襯。相關(guān)技術(shù)中，內(nèi)襯設(shè)置于腔體與調(diào)整支架之間，并通過內(nèi)襯分別與腔體和調(diào)整支架密封配合，使得工藝腔室密封面的數(shù)量增加，并且內(nèi)襯在拆裝的過程中需要對密封結(jié)構(gòu)進行拆裝，進而造成工藝腔室的維護的難度大。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備及其工藝腔室，以解決工藝腔室內(nèi)的維護難度大的問題。

為了解決上述問題，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案：

本申請公開的用于半導(dǎo)體加工的工藝腔室，包括腔體、蓋體和內(nèi)襯，腔體的進氣側(cè)具有開口端，開口端設(shè)置有安裝臺，安裝臺凸出并環(huán)設(shè)于腔體的內(nèi)側(cè)壁；蓋體蓋合于開口端，且蓋體與開口端密封配合；

內(nèi)襯設(shè)置于腔體內(nèi)，內(nèi)襯與安裝臺可拆卸連接。

基于本申請公開的工藝腔室，本申請還公開一種半導(dǎo)體工藝設(shè)備。該半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括本申請實施例公開的工藝腔室、擺閥和分子泵，工藝腔室具有排氣端，分子泵通過擺閥與排氣端相連，且分子泵用于將工藝腔室內(nèi)的氣體抽出。

本發(fā)明采用的技術(shù)方案能夠達到以下有益效果：

本發(fā)明實施例公開的用于半導(dǎo)體加工的工藝腔室中，開口端設(shè)置安裝臺，且安裝臺凸出于腔體的內(nèi)側(cè)壁，進而使得開口端可以形成縮口結(jié)構(gòu)。內(nèi)襯可拆卸地連接于安裝臺，在拆卸內(nèi)襯的過程中，無需拆卸腔體，進而可以減小工藝腔室的維護難度。與相關(guān)技術(shù)中的工藝腔室相比，本申請所述方案可以減少縮口結(jié)構(gòu)處腔體的密封面，不僅可以提升工藝腔室的密封性能，還可以在工藝腔室維護過程中避免工藝腔室的密封裝配誤差造成密封性能降低。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本發(fā)明的進一步理解，構(gòu)成本發(fā)明的一部分，本發(fā)明的示意性實施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1為本申請實施例公開的半導(dǎo)體工藝設(shè)備的剖面圖；

圖2為圖1中A處的放大圖；

圖3為本申請第一種實施例公開的腔體的剖面圖；

圖4為本申請第二種實施例公開的腔體的剖面圖；

圖5為本申請實施例公開的內(nèi)襯的主視圖；

圖6為本申請實施例公開的內(nèi)襯的俯視圖；

圖7為本申請實施例公開的內(nèi)襯塊的示意圖；

圖8為本申請實施例公開的具有傳片口的內(nèi)襯塊的示意圖；

圖9為本申請實施例公開的內(nèi)襯塊的俯視圖；

圖10為本申請實施例公開的工藝腔室的俯視圖；

圖11為本申請第三種實施例公開的腔體的剖面圖；

圖12為相關(guān)技術(shù)中半導(dǎo)體工藝設(shè)備的剖面圖；

圖13為圖12中B處的放大圖；

圖14為本申請第四種實施例公開的腔體的剖面圖。

附圖標(biāo)記說明：