[發明專利]一種高功率器件柵電荷提取測試方法在審
| 申請號: | 202111145623.4 | 申請日: | 2021-09-28 |
| 公開(公告)號: | CN114035011A | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發明(設計)人: | 閆大為;陳雷雷;王燕平;李金曉 | 申請(專利權)人: | 無錫芯鑒半導體技術有限公司 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257 | 代理人: | 李柏柏 |
| 地址: | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 功率 器件 電荷 提取 測試 方法 | ||
本發明涉及一種高功率器件柵電荷提取測試方法,包括:將高功率測試條件劃分成高電流小電壓條件和高電壓小電流條件,在輸出特性曲線ID?VDS上提取出高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的漏電流對應的柵極電壓VGP1和VGP2;分別獲取輸入電容CISS隨VGS、VDS的變化曲線CISS?VGS、CISS?VDS以及米勒電容CRSS隨VGS、VDS的變化曲線CRSS?VGS、CRSS?VDS;選取曲線CISS?VGS,計算得到高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGS和Q’GS,選取曲線CRSS?VGS和CRSS?VDS,計算得到高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGD;將QGS、Q’GS和QGD進行拼接,得到高功率條件下的柵電荷特性曲線VGS?QG。本發明能夠避免對設備的高功率要求,同時還減小了由于器件發熱而導致的數據誤差,具有很好的應用價值。
技術領域
本發明涉及功率器件技術領域,尤其是指一種高功率器件柵電荷提取測試方法。
背景技術
傳統的對功率器件的測試電路如圖1所示,柵極輸入脈沖,負載電阻調節漏電流,示波器探頭分別監控柵極(VGS)和漏極電壓(VDS)隨時間的關系,由Q=I*t得到各部分電荷量。但是這種測試方法存在以下缺點:1)當漏-源電壓很高時,柵極達到開啟電壓值所需的時間極短,此時漏端的瞬時功率密度極高,這就要求了直流電源要有很高的功率輸出;2)為滿足不同的測試電流,該電路需要頻繁的更換負載電阻RL,操作步驟繁瑣且引進了額外的寄生參數;3)器件處于高功率區時會存在嚴重的自熱效應,該效應會影響器件的輸出特性從而引起實驗誤差。
發明內容
為此,本發明所要解決的技術問題在于克服現有技術存在的缺陷,提供一種高功率器件柵電荷提取測試方法,能夠避免對設備的高功率要求,同時還減小了由于器件發熱而導致的數據誤差。
為解決上述技術問題,本發明提供了一種高功率器件柵電荷提取測試方法,包括:
將高功率測試條件劃分成高電流小電壓條件和高電壓小電流條件,在輸出特性曲線ID-VDS上提取出高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的漏電流對應的柵極電壓VGP1和VGP2;
分別獲取輸入電容CISS隨VGS、VDS的變化曲線CISS-VGS、CISS-VDS以及米勒電容CRSS隨VGS、VDS的變化曲線CRSS-VGS、CRSS-VDS,其中測試頻率為1MHZ,輸入的VGS的范圍為0-VGDR,VGDR為驅動電壓,VDS的范圍為0-VDD;
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于無錫芯鑒半導體技術有限公司,未經無錫芯鑒半導體技術有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111145623.4/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:慢消化青稞全粉及其制備方法、馬芬蛋糕預拌粉
- 下一篇:混頻器及通信裝置





