[發(fā)明專利]一種高功率器件柵電荷提取測試方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111145623.4 | 申請日： | 2021-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN114035011A | 公開（公告）日： | 2022-02-11 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 閆大為;陳雷雷;王燕平;李金曉 | 申請（專利權(quán)）人： | 無錫芯鑒半導(dǎo)體技術(shù)有限公司 |
| 主分類號： | G01R31/26 | 分類號： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 蘇州市中南偉業(yè)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李柏柏 |
| 地址： | 214000 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 功率 器件 電荷 提取 測試 方法 | ||
1.一種高功率器件柵電荷提取測試方法，其特征在于，包括：
將高功率測試條件劃分成高電流小電壓條件和高電壓小電流條件，在輸出特性曲線ID-VDS上提取出高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的漏電流對應(yīng)的柵極電壓VGP1和VGP2；
分別獲取輸入電容CISS隨VGS、VDS的變化曲線CISS-VGS、CISS-VDS以及米勒電容CRSS隨VGS、VDS的變化曲線CRSS-VGS、CRSS-VDS，其中測試頻率為1MHZ，輸入的VGS的范圍為0-VGDR，VGDR為驅(qū)動電壓，VDS的范圍為0-VDD；
選取所述曲線CISS-VGS，計算得到所述高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGS和Q’GS，選取所述曲線CRSS-VGS和CRSS-VDS，計算得到所述高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGD；
將所述QGS、Q’GS和QGD進(jìn)行拼接，得到高功率條件下的柵電荷特性曲線VGS-QG。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率器件柵電荷提取測試方法，其特征在于：在所述高電壓小電流條件下，其電壓VDS選該條件下的電壓范圍的最大值。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率器件柵電荷提取測試方法，其特征在于：在所述高電流小電壓條件下，其電流ID選該條件下的電流范圍的最大值。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率器件柵電荷提取測試方法，其特征在于：在輸出特性曲線ID-VDS上提取出高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的漏電流對應(yīng)的柵極電壓VGP1和VGP2包括：
在輸出特性曲線ID-VDS上提取出高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的漏電流對應(yīng)的電流值ID1和ID2，并在輸出特性曲線ID-VDS的恒流區(qū)找到該電流值對應(yīng)的曲線，讀出對應(yīng)的柵極電壓VGS并定義為VGP1和VGP2。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高功率器件柵電荷提取測試方法，其特征在于：選取所述曲線CISS-VGS，計算得到所述高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGS包括：
運用如下的計算公式計算得到高電流小電壓條件和高電壓小電流條件下的QGS：
式中，QGS表示柵源電荷，VGP為米勒平臺電壓，CISS為輸入電容，VGS表示柵極電壓。
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