[發明專利]一種鍍膜玻璃的制備方法

在審

• 申請號: 202111145015.3
• 申請日: 2021-09-28
• 公開（公告）號: CN113880454A
• 公開（公告）日: 2022-01-04
• 發明（設計）人: 梁干;趙習軍;唐晶;余華駿
• 申請（專利權）人: 吳江南玻華東工程玻璃有限公司;中國南玻集團股份有限公司
• 主分類號: C03C17/36
• 分類號: C03C17/36
• 代理公司: 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103
• 代理人: 樊曉娜

1.一種鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：包括如下步驟：

S1、采用磁控濺射工藝，在基板玻璃一表面鍍設第一減反層；

S2、在第一減反層上鍍設多個復合鍍層，多個復合鍍層依次鍍設，每一個所述的復合鍍層包括依次設置的電介質層、銀層、介質保護層，其中，鍍設靠近第一減反層的首個復合鍍層時，在第一減反層上由內向外依次鍍設電介質層、銀層、介質保護層；鍍設其它復合鍍層時，相鄰兩個復合鍍層的介質保護層與電介質層相鄰設置；

S3、在復合鍍層的最外層上鍍設功能層；

S4、在功能層上鍍設第二減反層；

其中，

步驟S1、S4中，磁控濺射第一減反層、第二減反層：均采用氟化鎂靶材料在純氬氣氛圍中進行濺射；

步驟S2中，磁控濺射電介質層：使用鋅、鋅錫、硅鋁靶材料中的一種或多種在氧氬混合氣氛圍中進行濺射；

磁控濺射銀層：采用銀靶材料在純氬氣氛圍中進行濺射；

磁控濺射介質保護層：采用鎳鉻合金靶、氧化鋅鋁陶瓷靶材料中的一種或多種在純氬氣氛圍中進行濺射；

步驟S3中，磁控濺射功能層：使用鋅、鋅錫、硅鋁靶材料中的一種或多種在氧氬混合氣氛圍中進行濺射。

2.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S2中，磁控濺射電介質層時，

若濺射氧化鋅，使用鋅靶材料在氧氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氧混合氣比例為氬：氧＝3：4；

若濺射氧化鋅錫，使用鋅錫靶材料在氧氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氧混合氣比例為氬：氧＝3：4；

若濺射氮化硅，使用硅鋁靶材料在氬氮混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氮混合氣比例為氬：氮＝1：1。

3.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S3中，磁控濺射功能層時，

若濺射氧化鋅，使用鋅靶材料在氧氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氧混合氣比例為氬：氧＝3：4；

若濺射氧化鋅錫，使用鋅錫靶材料在氧氬混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氧混合氣比例為氬：氧＝3：4；

若濺射氮化硅，使用硅鋁靶材料在氬氮混合氣氛圍中進行濺射，濺射氬氮混合氣比例為氬：氮＝1：1。

4.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S2中，在第一減反層上由內到外依次相鄰地鍍設第一電介質層、第一銀層、第一介質保護層、第二電介質層、第二銀層、第二介質保護層。

5.根據權利要求4所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S2中，在所述的第二介質保護層與所述的功能層之間還依次鍍設有第三電介質層、第三銀層、第三介質保護層，所述的第一電介質層、第一銀層、第一介質保護層、第二電介質層、第二銀層、第二介質保護層、第三電介質層、第三銀層、第三介質保護層依次設置在所述的第一減反層與所述的功能層之間。

6.根據權利要求5所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：所述的第三電介質層的厚度為50-90nm；所述的第三銀層的厚度為8-30nm；所述的第三介質保護層的厚度為14-15nm。

7.根據權利要求5所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：在所述的第三電介質層與第三銀層之間鍍設第四電介質層，所述的第三電介質層、第四電介質層的厚度總和為50-90nm。

8.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S1、S4中，磁控濺射第一減反層、第二減反層時的濺射氣壓范圍為6×10^-3-2×10^-4mbar。

9.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S2中，磁控濺射電介質層時的濺射氣壓范圍為2×10^-2-2×10^-4mbar；磁控濺射銀層時的濺射氣壓范圍為2×10^-2-2×10^-4mbar；磁控濺射介質保護層時的濺射氣壓范圍為2×10^-2-2×10^-4mbar。

10.根據權利要求1所述的鍍膜玻璃的制備方法，其特征在于：步驟S3中，磁控濺射功能層時的濺射氣壓范圍為2×10^-2-2×10^-4mbar。