[發(fā)明專利]晶片尺寸封裝有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111143247.5 | 申請日： | 2021-09-28 |
| 公開（公告）號： | CN113594106B | 公開（公告）日： | 2021-12-17 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 楊國江;于世珩;毛嘉云 | 申請（專利權(quán)）人： | 江蘇長晶科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/31 | 分類號： | H01L23/31;H01L29/417 |
| 代理公司： | 南京華訊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 32413 | 代理人： | 林弘毅 |
| 地址： | 210000 江蘇省南*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 晶片 尺寸 封裝 | ||
1.一種晶片尺寸封裝，其特征在于，包括：
一晶片，具有一正面及一背面，其中該正面具有一主動區(qū)域；
一金屬層，形成于該背面，且大于該主動區(qū)域的投影，適于一電流在該金屬層流動，該金屬層具有四個邊緣，其中至少一邊緣具有一鍵缺口，所述鍵缺口的凹陷方向為金屬層由邊緣至內(nèi)部的延伸方向，其中該鍵缺口的凹陷方向若與該電流方向平行，則該鍵缺口與該主動區(qū)域的投影不產(chǎn)生干涉；以及
一封裝材料，形成于該背面，至少包覆該金屬層的該些邊緣。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，更包括一抗氧化層形成于該金屬層表面。
3.如權(quán)利要求1所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，其中該封裝材料更包覆該金屬層的表面。
4.如權(quán)利要求1所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，其中該金屬層包括銅。
5.如權(quán)利要求2所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，其中該抗氧化層系選自于由錫，鈦鎳合金，銀鎳合金所組成的族群。
6.一種晶片尺寸封裝，其特征在于，包括：
一晶片，具有一正面及一背面，其中該正面具有一主動區(qū)域；
一金屬層，形成于該背面，且大于該主動區(qū)域的投影，適于一電流在該金屬層流動，該金屬層具有四個邊緣，其中該些邊緣具有一第一鍵缺口及一第二鍵缺口，所述第一鍵缺口和第二鍵缺口的凹陷方向為金屬層由邊緣至內(nèi)部的延伸方向，其中該第一鍵缺口的凹陷方向與該電流方向平行，該第一鍵缺口與該主動區(qū)域的投影不產(chǎn)生干涉，其中該第二鍵缺口的凹陷方向與該電流方向垂直，該第一鍵缺口與該主動區(qū)域的投影產(chǎn)生干涉；以及
一封裝材料，形成于該背面，至少包覆該金屬層的該些邊緣，并嵌入該第一鍵缺口與該第二鍵缺口。
7.如權(quán)利要求6所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，更包括一抗氧化層形成于該金屬層表面。
8.如權(quán)利要求6所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，其中該封裝材料更包覆該金屬層的表面。
9.如權(quán)利要求6所述的晶片尺寸封裝，其特征在于，其中該金屬層包括銅。
10.如權(quán)利要求7所述的晶片尺寸封裝，其中該抗氧化層系選自于由錫，鈦鎳合金，銀鎳合金所組成的族群。
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