[發明專利]一種具有雙側面超結槽柵LDMOS器件

在審

• 申請號: 202111139200.1
• 申請日: 2021-09-26
• 公開（公告）號: CN113921611A
• 公開（公告）日: 2022-01-11
• 發明（設計）人: 陳偉中;周鑄;秦海峰
• 申請（專利權）人: 重慶郵電大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275
• 代理人: 趙榮之

1.一種具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，該器件包括：源極P+區(1)、源極N+區(2)、P-body(3)、漂移區(6)、漏極N+區(7)、漏極N-buffer區(8)、漏極P+區(9)、P型輔助耗盡區(10)、槽柵P+接觸區(11)和二氧化硅隔離層(12)；其中，所述源極P+區(1)、源極N+區(2)、P-body(3)、漂移區(6)、漏極N-buffer區(8)和漏極N+區(7)從左至右依次排列組成LDMOS導電區；所述槽柵P+接觸區(11)、P型輔助耗盡區(10)、漏極N-buffer區(8)、漏極N+區(7)和漏極P+區(9)從左至右依次排列組成雙側面超結槽柵區；所述二氧化硅隔離層(12)用于分離雙側面超結槽柵區和LDMOS導電區，LDMOS導電區位于二氧化硅隔離層(12)內側，雙側面超結槽柵區位于二氧化硅隔離層(12)外側。

2.根據權利要求1所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(6)包括左右排列的漂移區Ⅰ(6-1)和漂移區Ⅱ(6-2)；其中漂移區Ⅰ(6-1)摻雜濃度大于漂移區Ⅱ(6-2)的摻雜濃度。

3.根據權利要求1所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述P型輔助耗盡區(10)包括左右排列的P型輔助耗盡區Ⅰ(10-1)、P型輔助耗盡區Ⅱ(10-2)；其中P型輔助耗盡區Ⅰ(10-1)的摻雜濃度小于P型輔助耗盡區Ⅱ(10-2)的摻雜濃度。

4.根據權利要求1～3中任意一項所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，該器件還包括位于雙側面超結槽柵區和LDMOS導電區下側的埋氧層(4)，以及位于埋氧層(4)下側的襯底(5)。

5.根據權利要求1或2所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述漂移區(6)的摻雜類型包括N型或P型。

6.根據權利要求1～3中任意一項所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，該LDMOS器件包括N型或P型。

7.根據權利要求1所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，該器件結構適用于橫向二極管或LIGBT。

8.根據權利要求1～3中任意一項所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述二氧化硅隔離層(12)的厚度根據需要改變。

9.根據權利要求1或3中任意一項所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述漏極N-buffer區(8)的摻雜濃度根據需要改變。

10.根據權利要求1或3中任意一項所述的具有雙側面超結槽柵LDMOS器件，其特征在于，所述P型輔助耗盡區(10)的摻雜濃度根據需要改變。