[發(fā)明專利]封裝天線及其制備方法、電子設備

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• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN113871837A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 郭俊偉;劉宗民;范西超;李偉;王亞麗;曲峰;李必奇
• 申請（專利權）人: 北京京東方技術開發(fā)有限公司;京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/12
• 分類號: H01Q1/12;H01Q1/22;H01Q1/36;H01Q1/48;H01Q1/50;H01L23/66
• 代理公司: 北京安信方達知識產權代理有限公司 11262
• 代理人: 和簫;曲鵬

1.一種封裝天線的制備方法，其特征在于，包括：

通過三維打印工藝，形成介質基板，并在所述介質基板上依次形成天線單元和封裝結構層；

提供集成電路芯片，將所述集成電路芯片與所述天線單元連接。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成介質基板，包括：

采用熱塑性材料進行熔融沉積成型工藝，形成所述介質基板。

3.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成天線單元，包括：

所述天線單元中的金屬層采用金屬漿料進行微點膠工藝形成，其中，所述天線單元中的金屬層包括：輻射層、饋線層和接地層；

所述天線單元中的介質層采用熱塑性材料進行熔融沉積成型工藝形成，其中，所述天線單元中的介質層包括：第一天線介質層和第二天線介質層。

4.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述形成封裝結構層，包括：

采用熱塑性材料進行熔融沉積成型工藝，在所述天線單元的遠離所述介質基板的一側形成封裝介質層；

采用金屬漿料進行微點膠工藝，形成信號線層。

5.根據權利要求3或4所述的制備方法，其特征在于，所述金屬漿料包括：金屬粉末和熱熔性粘接劑，其中，所述金屬粉末包括：金、銀和銅中的任意一種。

6.根據權利要求2至4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述熱塑性材料包括：丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物ABS材料、聚乳酸PLA材料和聚碳酸酯PC材料中的任意一種。

7.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述將所述集成電路芯片與所述天線單元連接，包括：通過倒裝方式，將所述集成電路芯片與所述天線單元連接。

8.根據權利要求1或7所述的制備方法，其特征在于，所述集成電路芯片包括：單片微波集成電路MMIC芯片。

9.根據權利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述MMIC芯片包括：低噪聲放大器芯片、功率放大器芯片、射頻開關芯片和收發(fā)芯片中的任意一種或多種。

10.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述天線單元包括：貼片天線、縫隙天線、柵格天線和偶極子天線中的任意一種。

11.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述通過三維打印工藝，形成介質基板，并在所述介質基板上依次形成天線單元和封裝結構層包括：

獲取封裝天線對應的預先建立的三維打印模型；

基于所述三維打印模型，通過三維打印工藝，形成所述介質基板，并在所述介質基板上依次形成天線單元和封裝結構層。

12.一種電子設備，其特征在于，包括：封裝天線，其中，所述封裝天線由如權利要求1至11任一項所述的制備方法制得。

13.一種封裝天線，其特征在于，包括：介質基板以及位于所述介質基板一側的天線單元、封裝結構層和集成電路芯片，其中，所述集成電路芯片與所述天線單元連接，所述介質基板、所述天線單元和所述封裝結構層通過三維打印工藝制備。

14.根據權利要求13所述的封裝天線，其特征在于，所述天線單元包括：輻射層、第一天線介質層、饋線層、第二天線介質層和接地層，其中，所述介質基板、所述第一天線介質層和所述第二天線介質層通過熔融沉積成型工藝采用熱塑性材料制成，所述輻射層、所述饋線層和所述接地層通過微點膠工藝采用金屬漿料制成。

15.根據權利要求14所述的封裝天線，其特征在于，所述封裝結構層包括：位于所述天線單元的遠離所述介質基板的一側的封裝介質層和信號線層，其中，所述封裝介質層通過熔融沉積成型工藝采用熱塑性材料制成，所述信號線層通過微點膠工藝采用金屬漿料制成。