[發(fā)明專利]一種碳化硅籽晶的清洗方法

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• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN113862792A
• 公開（公告）日: 2021-12-31
• 發(fā)明（設計）人: 不公告發(fā)明人
• 申請（專利權）人: 哈爾濱科友半導體產(chǎn)業(yè)裝備與技術研究院有限公司
• 主分類號: C30B35/00
• 分類號: C30B35/00;C30B29/36;B08B1/00;B08B3/04
• 代理公司: 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209
• 代理人: 姜俊婕

本發(fā)明涉及一種碳化硅籽晶的清洗方法，屬于碳化硅制備技術領域。為解決現(xiàn)有碳化硅籽晶清洗方法清洗不當，造成次品率提高的問題，本發(fā)明提供了一種碳化硅籽晶的清洗方法，包括碳化硅籽晶拋光后使用清水沖洗碳化硅籽晶表面的拋光液、使用氫氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗凈殘留的氫氟酸溶液、使用硫酸與雙氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶和使用PVA刷頭對碳化硅籽晶正反面進行物理摩擦刷洗。本發(fā)明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能夠有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纖維雜質和大顆粒，清洗后的碳化硅籽晶沒有崩、坑、油、臟污和劃傷缺陷，能夠減少次品率，保證碳化硅單晶和器件的質量。

技術領域

本發(fā)明屬于碳化硅制備技術領域，尤其涉及一種碳化硅籽晶的清洗方法。

背景技術

典型的碳化硅晶體制備方法為PVT法，碳化硅粉料在高溫下升華揮發(fā)后在碳化硅籽晶處結晶生長，形成碳化硅晶體。晶體的缺陷會直接影響到所制備器件的質量，因此在晶體生長過程中往往需要采用各種方法減少晶體缺陷的產(chǎn)生。采用無缺陷或少缺陷且表現(xiàn)粗糙度交底的籽晶來生長晶體也是減少晶體缺陷的方法之一。

碳化硅晶片上的有機、無機和顆粒狀雜質通常是以化學或物理吸附的方式結合在晶片表面或包埋于晶片自身的氧化膜中，這些沾染物及顆粒狀雜質會嚴重影響器件的性能、可靠性和成品率。實驗表明，大部分晶片次品是由于現(xiàn)有清洗方法對碳化硅籽晶清洗不當造成的，因此如何更好的清洗碳化硅籽晶是行業(yè)內必須完善的方法。

發(fā)明內容

為解決現(xiàn)有碳化硅籽晶清洗方法清洗不當，造成次品率提高的問題，本發(fā)明提供了一種碳化硅籽晶的清洗方法。

本發(fā)明的技術方案：

一種碳化硅籽晶的清洗方法，包括如下步驟：

步驟一、碳化硅籽晶拋光后使用清水沖洗碳化硅籽晶表面的拋光液；

步驟二、使用氫氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗凈殘留的氫氟酸溶液；

步驟三、使用硫酸與雙氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶；

步驟四、使用PVA刷頭對碳化硅籽晶正反面進行物理摩擦刷洗；獲得清潔的碳化硅籽晶。

進一步的，步驟一所述清水沖洗時間為10～30min。

進一步的，步驟二所述氫氟酸溶液清洗時間為15～20min，所述氫氟酸溶液的濃度為40％。

進一步的，步驟二所述QDR方式為噴淋10min、清洗3min、鼓泡5min，快排5s。

進一步的，步驟三所述混合溶液由98％濃度的硫酸與100％濃度的雙氧水按體積比為3：7配制。

進一步的，步驟三所述清洗時間為15～30min。

進一步的，步驟四所述物理摩擦力度不得超過30N。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明提供的碳化硅籽晶的清洗方法能夠有效的清洗碳化硅籽晶，包括碳化硅籽晶表面的纖維雜質和大顆粒，清洗后的碳化硅籽晶沒有崩、坑、油、臟污和劃傷缺陷，能夠減少次品率，保證碳化硅單晶和器件的質量。

附圖說明

圖1為實施例1清洗后的碳化硅籽晶在CS60檢查設備上顯示的籽晶結晶度圖片。

具體實施方式

下面結合實施例對本發(fā)明的技術方案做進一步的說明，但并不局限于此，凡是對本發(fā)明技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的精神和范圍，均應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍中。下列實施例中未具體注明的工藝設備或裝置均采用本領域內的常規(guī)設備或裝置，若未特別指明，本發(fā)明實施例中所用的原料等均可市售獲得；若未具體指明，本發(fā)明實施例中所用的技術手段均為本領域技術人員所熟知的常規(guī)手段。