[發明專利]一種碳化硅籽晶的清洗方法在審
| 申請號： | 202111136639.9 | 申請日： | 2021-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN113862792A | 公開（公告）日： | 2021-12-31 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 哈爾濱科友半導體產業裝備與技術研究院有限公司 |
| 主分類號： | C30B35/00 | 分類號： | C30B35/00;C30B29/36;B08B1/00;B08B3/04 |
| 代理公司： | 哈爾濱市偉晨專利代理事務所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 姜俊婕 |
| 地址： | 150000 黑龍江省哈爾濱市松北區智谷二街3*** | 國省代碼： | 黑龍江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 籽晶 清洗 方法 | ||
1.一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、碳化硅籽晶拋光后使用清水沖洗碳化硅籽晶表面的拋光液；
步驟二、使用氫氟酸溶液清洗碳化硅籽晶，然后用QDR方式洗凈殘留的氫氟酸溶液；
步驟三、使用硫酸與雙氧水的混合溶液清洗碳化硅籽晶；
步驟四、使用PVA刷頭對碳化硅籽晶正反面進行物理摩擦刷洗；獲得清潔的碳化硅籽晶。
2.根據權利要求1所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟一所述清水沖洗時間為10～30min。
3.根據權利要求1或2所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟二所述氫氟酸溶液清洗時間為15～20min。
4.根據權利要求3所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟二所述氫氟酸溶液的濃度為40％。
5.根據權利要求4所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟二所述QDR方式為噴淋10min、清洗3min、鼓泡5min，快排5s。
6.根據權利要求5所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟三所述混合溶液由98％濃度的硫酸與100％濃度的雙氧水按體積比為3：7配制。
7.根據權利要求6所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟三所述清洗時間為15～30min。
8.根據權利要求7所述一種碳化硅籽晶的清洗方法，其特征在于，步驟四所述物理摩擦力度不得超過30N。
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