[發明專利]一種FLASH壽命優化的數據存儲方法、裝置、設備及介質在審
| 申請號: | 202111135966.2 | 申請日: | 2021-09-27 |
| 公開(公告)號: | CN114035741A | 公開(公告)日: | 2022-02-11 |
| 發明(設計)人: | 李長春;許午嘯;李丹華;李晶 | 申請(專利權)人: | 北京航天時代激光導航技術有限責任公司 |
| 主分類號: | G06F3/06 | 分類號: | G06F3/06 |
| 代理公司: | 中國航天科技專利中心 11009 | 代理人: | 孫建玲 |
| 地址: | 100094 北京市海淀區*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 flash 壽命 優化 數據 存儲 方法 裝置 設備 介質 | ||
本發明提供了一種FLASH壽命優化的數據存儲方法、裝置、設備及介質,數據存儲方法包括:設計存儲數據模型,將同一周期內的存儲數據按照存儲模型封裝,保證同一周期數據存儲在同一Flash扇區內;增加存儲數據校驗,對同一Flash扇區內的存儲數據計算校驗和并存儲,能夠保證存儲數據可靠性,便于數據處理;建立存儲數據索引,Flash扇區編號與擦除次數對應,以均衡使用所有存儲扇區,減少Flash各扇區擦除次數不均衡的情況,通過索引能夠監控Flash壽命狀況。
技術領域
本發明屬于嵌入式系統應用軟件技術領域,特別涉及一種FLASH壽命優化的數據存儲方法、裝置、設備及介質。
背景技術
嵌入式系統在運行過程中,對于性能參數、工作狀態等數據有大量非易失存儲需求,以便依據存儲數據進行事后分析和維護診斷等。Flash作為典型的非易失存儲器具有容量大、功耗低、可擦寫次數多、控制靈活等特點,因此廣泛用于構建嵌入式系統內部或外部的非易失存儲空間。與內存、磁盤等存儲介質不同,Flash存儲器的每個存儲單元只有在擦除以后才能寫入數據,擦除的基本單位由一定個數讀、寫基本單元組成,一個可擦除的基本單位稱為一個扇區。通常扇區擦除操作所需的時間比寫入操作多一個數量級,并且每個扇區允許的擦除次數是有限的,這個擦除次數決定了Flash存儲器的壽命。
嵌入式系統設計時,Flash存儲器容量應當大于單次工作過程中需要存儲的數據量,否則系統設計不符合使用需求。設Flash存儲器的容量為v,扇區集合為s,其個數為k,單個扇區容量為ls,則v=ls*k。目前,嵌入式應用軟件在使用Flash進行數據存儲時,通常按照以下方法進行:
(1)應用軟件申請內存空間r,大小至少為一個扇區容量ls,為了便于處理,內存空間r大小通常為2*ls,用于Flash數據存儲的緩存;
(2)應用軟件運行過程中,將需要存儲的數據保存在內存空間r內,當內存空間r內數據長度等于ls后,擦除扇區s1,將內存空間r內ls長度的數據寫入s1;
(3)重復過程2,依次將數據存入Flash扇區s2,s3……;
(4)嵌入式系統再次上電工作時,重復上述過程。
該Flash數據存儲方法空間分配如圖1所示。
該Flash數據存儲方法中,存在以下缺陷:
(1)在嵌入式系統工作過程中,Flash存儲器扇區使用分布不均衡。嵌入式系統設計時,Flash存儲器通常會按照預留余量設計,Flash實際扇區個數k大于數據存儲需要的扇區個數n,即Flash存儲器容量v大于系統單次工作時需要存儲的數據量。由圖1可以看出,因系統工作狀況不同,Flash存儲器扇區s1至sn的使用概率依次降低,sn至sk的扇區在系統壽命內未被使用,導致Flash存儲器扇區使用不均衡,Flash整體壽命縮短。
(2)同一周期存儲數據可能在不同扇區,不便于數據的處理。為了減少Flash扇區擦除次數,該方法將內存空間r緩存滿后再進行扇區擦除和寫入,設應用軟件同一周期需要緩存的數據集合為p,其長度為lp,由圖1可以看出,同一周期的數據在內存空間r內緩存,通常ls不會恰好滿足為lp的整數倍,因此周期數據p可能存儲在兩個扇區內,如圖1所示,p4實際存儲于s1、s2兩個扇區,對于數據處理增加難度。
(3)上述Flash數據存儲方法無法獲取Flash扇區擦除次數,因而無法統計Flash的使用壽命情況。
發明內容
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