[發(fā)明專利]一種FLASH壽命優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲方法、裝置、設(shè)備及介質(zhì)

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111135966.2
• 申請日: 2021-09-27
• 公開（公告）號: CN114035741A
• 公開（公告）日: 2022-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李長春;許午嘯;李丹華;李晶
• 申請（專利權(quán)）人: 北京航天時代激光導(dǎo)航技術(shù)有限責(zé)任公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 中國航天科技專利中心 11009
• 代理人: 孫建玲

1.一種FLASH壽命優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟(1)，設(shè)計存儲數(shù)據(jù)模型，將單一周期需存儲的數(shù)據(jù)集合p頭部添加幀頭、幀計數(shù)，尾部添加幀尾，以辨別不同周期的存儲數(shù)據(jù)；單個扇區(qū)的容量已知，在設(shè)計數(shù)據(jù)存儲模型時，滿足如下關(guān)系：

ls％lp≥5 (1)

式(1)中，lp為單一周期需存儲的數(shù)據(jù)集合p的數(shù)據(jù)長度；ls為單個扇區(qū)容量，式(1)確保整數(shù)個數(shù)據(jù)集合p分布在Flash同一扇區(qū)后，至少剩余5字節(jié)的地址空間，其中5字節(jié)的地址空間用于后續(xù)存儲校驗和及索引值，大于5字節(jié)又不足lp的剩余部分可以作為預(yù)留區(qū)；

步驟(2)，將需要存儲的數(shù)據(jù)集合p緩存在內(nèi)存空間r內(nèi)，r內(nèi)緩存數(shù)據(jù)滿足ls/lp整數(shù)個后，采用crc校驗方式獲得緩存數(shù)據(jù)crc校驗和；其中，內(nèi)存空間r滿足如下條件：lr≥ls，lr為內(nèi)存緩存的長度；

步驟(3)，運行數(shù)據(jù)存儲時，讀取Flash存儲器全部k個扇區(qū)的索引，查詢索引中的最大值；獲取索引最大值后對k求模即得到上次運行存儲使用的最后一個Flash扇區(qū)編號，本次運行即使用該扇區(qū)編號后的一個扇區(qū)作為起始存儲扇區(qū)；將內(nèi)存空間r內(nèi)緩存數(shù)據(jù)寫入該扇區(qū)，將crc校驗和存儲在Flash扇區(qū)剩余地址空間內(nèi)，同時索引增加1后存儲在該Flash扇區(qū)剩余地址空間；

步驟(4)，重復(fù)步驟(2)和(3)，依次將數(shù)據(jù)存入Flash扇區(qū)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FLASH壽命優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，步驟(3)中，扇區(qū)剩余地址空間中預(yù)留區(qū)、校驗和、數(shù)據(jù)索引的設(shè)置區(qū)間或存儲位置可調(diào)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的FLASH壽命優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲方法，其特征在于，步驟(3)中，所述查詢索引中的最大值以確定起始存儲扇區(qū)步驟中：

①如果獲得的扇區(qū)索引值除0xffffff外無其他值，則取Flash存儲器的第一個扇區(qū)作為起始存儲扇區(qū)；

②如果獲得的扇區(qū)索引值除0xffffff外存在其他有效值，則獲取有效值中的最大值；如果獲得的扇區(qū)索引值無0xffffff，則正常獲取索引的最大值；獲取索引最大值后對k求模即得到上次運行存儲使用的最后一個Flash扇區(qū)編號，本次運行即使用該扇區(qū)編號后的一個扇區(qū)作為起始存儲扇區(qū)。

4.一種FLASH壽命優(yōu)化的數(shù)據(jù)存儲裝置，其特征在于，包括存儲數(shù)據(jù)模型設(shè)計模塊、存儲數(shù)據(jù)校驗?zāi)K、數(shù)據(jù)存儲運行模塊和存儲數(shù)據(jù)索引模塊：

存儲數(shù)據(jù)模型設(shè)計模塊：用于設(shè)計存儲數(shù)據(jù)模型，將單一周期需存儲的數(shù)據(jù)集合p頭部添加幀頭、幀計數(shù)，尾部添加幀尾，以辨別不同周期的存儲數(shù)據(jù)；單個扇區(qū)的容量已知，在設(shè)計數(shù)據(jù)存儲模型時，滿足如下關(guān)系：

ls％lp≥5 (1)

式(1)中，lp為單一周期需存儲的數(shù)據(jù)集合p的數(shù)據(jù)長度；ls為單個扇區(qū)容量，式(1)確保整數(shù)個數(shù)據(jù)集合p分布在Flash同一扇區(qū)后，至少剩余5字節(jié)的地址空間，其中5字節(jié)的地址空間用于后續(xù)存儲校驗和及索引值，大于5字節(jié)又不足lp的剩余部分可以作為預(yù)留區(qū)；

存儲數(shù)據(jù)校驗?zāi)K，用于將需要存儲的數(shù)據(jù)集合p緩存在內(nèi)存空間r內(nèi)，r內(nèi)緩存數(shù)據(jù)滿足ls/lp整數(shù)個后，采用crc校驗方式獲得緩存數(shù)據(jù)crc校驗和；其中，內(nèi)存空間r滿足如下條件：lr≥ls，lr為內(nèi)存緩存的長度；

數(shù)據(jù)存儲運行模塊，用于在運行數(shù)據(jù)存儲時，讀取Flash存儲器全部k個扇區(qū)的索引，查詢索引中的最大值；獲取索引最大值后對k求模即得到上次運行存儲使用的最后一個Flash扇區(qū)編號，本次運行即使用該扇區(qū)編號后的一個扇區(qū)作為起始存儲扇區(qū)；將內(nèi)存空間r內(nèi)緩存數(shù)據(jù)寫入該扇區(qū)，將crc校驗和存儲在Flash扇區(qū)剩余地址空間內(nèi)；

存儲數(shù)據(jù)索引模塊，用于在運行數(shù)據(jù)存儲時，將最大索引值增加1后存儲在當(dāng)前Flash扇區(qū)剩余地址空間內(nèi)。