[發明專利]電子裝置及其制造方法

在審

• 申請號: 202111130397.2
• 申請日: 2021-09-26
• 公開（公告）號: CN115881788A
• 公開（公告）日: 2023-03-31
• 發明（設計）人: 林辰宇
• 申請（專利權）人: 群創光電股份有限公司
• 主分類號: H01L29/417
• 分類號: H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 宋興;黃健

本揭露提供一種電子裝置及其制造方法。電子裝置包括基板、半導體層、漏極電極、源極電極以及絕緣層。半導體層設置于基板上。漏極電極電性連接至半導體層。源極電極電性連接至半導體層。絕緣層設置于源極電極與漏極電極之間。源極電極與漏極電極至少部分重疊。電子裝置的制造方法包括以下步驟：提供基板；形成半導體層于基板上；形成漏極電極，以電性連接至半導體層；形成源極電極，以電性連接至半導體層；以及形成絕緣層于源極電極與漏極電極之間。本揭露實施例提供的電子裝置及其制造方法可提高解析度、降低阻值或提高產品效能。

技術領域

本揭露涉及一種電子裝置及其制造方法，尤其涉及一種可提高解析度、降低阻值或提高產品效能的電子裝置及其制造方法。

背景技術

電子裝置如移動電話、電視、監視器、平板電腦、車用顯示器、穿戴裝置以及臺式電腦等均具有顯示圖像的功能。隨電子裝置蓬勃發展，對于圖像解析度等電子裝置的質量的要求越來越高。

發明內容

本揭露是提供一種電子裝置及其制造方法，其可提高解析度、降低阻值或提高產品效能。

根據本揭露的實施例，電子裝置包括基板、半導體層、漏極電極、源極電極以及絕緣層。半導體層設置于基板上。漏極電極電性連接至半導體層。源極電極電性連接至半導體層。絕緣層設置于源極電極與漏極電極之間。源極電極與漏極電極至少部分重疊。

根據本揭露的實施例，電子裝置的制造方法包括以下步驟：首先，提供基板。接著，形成半導體層于基板上。接著，形成漏極電極以電性連接至半導體層。接著，形成源極電極以電性連接至半導體層。然后，形成絕緣層于源極電極與漏極電極之間，其中源極電極與漏極電極至少部分重疊。

附圖說明

包含附圖以便進一步理解本揭露，且附圖并入本說明書中并構成本說明書的一部分。附圖說明本揭露的實施例，并與描述一起用于解釋本揭露的原理。

圖1A為本揭露一實施例的電子裝置的局部區域的俯視示意圖；

圖1B為圖1A的電子裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖；

圖1C為圖1A的電子裝置沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖；

圖1D為圖1A的另一實施例的電子裝置沿剖面線Ⅰ-Ⅰ’的剖面示意圖；

圖1E為圖1A的另一實施例的電子裝置沿剖面線Ⅱ-Ⅱ’的剖面示意圖；

圖2A為本揭露另一實施例的電子裝置的局部區域的俯視示意圖；

圖2B為圖2A的電子裝置沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖；

圖2C為圖2A的電子裝置沿剖面線Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意圖；

圖2D為圖2A的電子裝置沿剖面線Ⅴ-Ⅴ’的剖面示意圖；

圖2E為圖2A的另一實施例的電子裝置沿剖面線Ⅲ-Ⅲ’的剖面示意圖；

圖2F為圖2A的另一實施例的電子裝置沿剖面線Ⅳ-Ⅳ’的剖面示意圖；

圖2G為圖2A的另一實施例的電子裝置沿剖面線Ⅴ-Ⅴ’的剖面示意圖。

附圖標號說明

100、100a、100b、100c：電子裝置；

110：基板；

120、120’：半導體層；

121：源極接觸區；

123：漏極接觸區；

130、130a、130b、130c：漏極電極；

140、140a、140b、140c：源極電極；