[發明專利]電子裝置及其制造方法在審
| 申請號： | 202111130397.2 | 申請日： | 2021-09-26 |
| 公開（公告）號： | CN115881788A | 公開（公告）日： | 2023-03-31 |
| 發明（設計）人： | 林辰宇 | 申請（專利權）人： | 群創光電股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/417 | 分類號： | H01L29/417;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人： | 宋興;黃健 |
| 地址： | 中國臺灣新竹科學工*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電子 裝置 及其 制造 方法 | ||
1.一種電子裝置，其特征在于，包括：
基板；
半導體層，設置于所述基板上；
漏極電極，電性連接至所述半導體層；
源極電極，電性連接至所述半導體層；以及
絕緣層，設置于所述源極電極與所述漏極電極之間，
其中所述源極電極與所述漏極電極至少部分重疊。
2.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述絕緣層設置于所述漏極電極上，所述源極電極設置于所述絕緣層上，所述絕緣層包括第一孔洞，且所述源極電極通過所述第一孔洞電性連接至所述半導體層。
3.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述絕緣層設置于所述源極電極上，所述漏極電極設置于所述絕緣層上，所述絕緣層包括第二孔洞，且所述漏極電極通過所述第二孔洞電性連接至所述半導體層。
4.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，還包括：
像素電極，電性連接至所述漏極電極。
5.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述漏極電極與所述源極電極包含金屬材料。
6.根據權利要求1所述的電子裝置，其特征在于，所述絕緣層的厚度介于1100埃至4600埃之間。
7.根據權利要求6所述的電子裝置，其特征在于，所述絕緣層為無機絕緣層。
8.一種電子裝置的制造方法，其特征在于，包括：
提供基板；
形成半導體層于所述基板上；
形成漏極電極，以電性連接至所述半導體層；
形成源極電極，以電性連接至所述半導體層；以及
形成絕緣層于所述源極電極與所述漏極電極之間，其中所述源極電極與所述漏極電極至少部分重疊。
9.根據權利要求8所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣層設置于所述漏極電極上，所述源極電極設置于所述絕緣層上，所述絕緣層包括第一孔洞，且所述源極電極通過所述第一孔洞電性連接至所述半導體層。
10.根據權利要求8所述的電子裝置的制造方法，其特征在于，所述絕緣層設置于所述源極電極上，所述漏極電極設置于所述絕緣層上，所述絕緣層包括第二孔洞，且所述漏極電極通過所述第二孔洞電性連接至所述半導體層。
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