[發(fā)明專利]光學(xué)感測(cè)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111128800.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN115881738A | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬(wàn)瑋琳;劉侑宗;李淂裕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H10K39/34 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 裝置 | ||
本發(fā)明提供一種光學(xué)感測(cè)裝置,其包括一基板;一光感測(cè)元件,設(shè)置于所述基板上;一遮光層,設(shè)置于所述光感測(cè)元件上,包括一第一開(kāi)孔重疊所述光感測(cè)元件;一絕緣層,設(shè)置于所述遮光層上,包括一第二開(kāi)孔重疊所述第一開(kāi)孔;一遮光元件,設(shè)置于所述第二開(kāi)孔的一孔壁上;以及一集光元件,設(shè)置于所述絕緣層上,以及重疊所述第二開(kāi)孔。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種光學(xué)感測(cè)裝置,尤指一種可使光準(zhǔn)直的光學(xué)感測(cè)裝置。
背景技術(shù)
通過(guò)光準(zhǔn)直結(jié)構(gòu),光學(xué)感測(cè)裝置可調(diào)整光的行進(jìn)方向,例如將雜散光(例如反射光等非來(lái)自光源的光)調(diào)整為準(zhǔn)直光。一般而言,光準(zhǔn)直結(jié)構(gòu)可為陣列結(jié)構(gòu),其可包括多層孔徑層(aperture layer)。在既有的光學(xué)感測(cè)裝置制程中,多層孔徑層可通過(guò)通過(guò)多層膜來(lái)制作,以形成透鏡聚焦所須的距離。然而,厚膜通常通過(guò)通過(guò)有機(jī)材料來(lái)制作,不僅須耗費(fèi)較高的材料成本,且涉及繁復(fù)的制程。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光學(xué)感測(cè)裝置,其包括一基板;一光感測(cè)元件,設(shè)置于所述基板上;一遮光層,設(shè)置于所述光感測(cè)元件上,包括一第一開(kāi)孔重疊所述光感測(cè)元件;一絕緣層,設(shè)置于所述遮光層上,包括一第二開(kāi)孔重疊所述第一開(kāi)孔;一遮光元件,設(shè)置于所述第二開(kāi)孔的一孔壁上;以及一集光元件,設(shè)置于所述絕緣層上,以及重疊所述第二開(kāi)孔。
本發(fā)明另提供一種光學(xué)感測(cè)裝置,其包括一基板;一光感測(cè)元件,設(shè)置于所述基板上;一遮光層,設(shè)置于所述光感測(cè)元件上,包括一第一開(kāi)孔重疊所述光感測(cè)元件;一絕緣層,設(shè)置于所述遮光層上,包括一第二開(kāi)孔重疊所述第一開(kāi)孔;以及一集光元件,設(shè)置于所述絕緣層上,至少一部分的所述集光元件位于所述第二開(kāi)孔內(nèi);其中,所述絕緣層的一第一折射率大于所述集光元件的一第二折射率。
附圖說(shuō)明
圖1為本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)感測(cè)裝置的示意圖。
圖2為本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)感測(cè)裝置的示意圖。
圖3為本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)感測(cè)裝置的示意圖。
圖4為本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)感測(cè)裝置的示意圖。
圖5為本發(fā)明實(shí)施例一集光元件計(jì)算球面鏡曲率半徑的示意圖。
圖6為本發(fā)明實(shí)施例一光學(xué)感測(cè)裝置的示意圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明:10、20、30、40、60-光學(xué)感測(cè)裝置;100-基板;101-第一半導(dǎo)體層;102-第一絕緣層;103-第一導(dǎo)電層;104-第二絕緣層;105-第二導(dǎo)電層;106-第三絕緣層;107-第三導(dǎo)電層;108-第四絕緣層;109-第四導(dǎo)電層;110-第五絕緣層;112-光感測(cè)元件;1120-第二半導(dǎo)體層;1121-本質(zhì)半導(dǎo)體層;1122-第三半導(dǎo)體層;113-第五導(dǎo)電層;120-遮光層;122-第一開(kāi)孔;130-第六絕緣層;131-第六絕緣層的上表面;132-第二開(kāi)孔;133-第二開(kāi)孔的孔壁;134-遮光元件;140-集光元件;WB1-第一底部寬度;WB2-第二底部寬度;WB3-第三底部寬度;WT2-第二頂部寬度;P1-第一光路徑;P2-第二光路徑;N1-第一折射率;N2-第二折射率;N3-第三折射率;R-弦;R’-球面鏡曲率半徑;F-聚焦距離;LT-第一厚度;OT-第二厚度;PT-第三厚度;ST-第四厚度;CP1、CP2、CP3-端點(diǎn);CT-球面鏡球心;θ-夾角。
具體實(shí)施方式
通過(guò)參考以下的詳細(xì)描述并同時(shí)結(jié)合附圖可以理解本發(fā)明,須注意的是,為了使讀者能容易了解及為了圖式的簡(jiǎn)潔,本發(fā)明中的多張圖式只繪出光學(xué)感測(cè)裝置的一部分,且圖式中的特定元件并非依照實(shí)際比例繪圖。此外,圖中各元件的數(shù)量及尺寸僅作為示意,并非用來(lái)限制本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明通篇說(shuō)明書(shū)與權(quán)利要求中會(huì)使用某些詞匯來(lái)指稱特定元件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解,電子設(shè)備制造商可能會(huì)以不同的名稱來(lái)指稱相同的元件。本文并不意在區(qū)分那些功能相同但名稱不同的元件。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于群創(chuàng)光電股份有限公司,未經(jīng)群創(chuàng)光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202111128800.8/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門(mén)適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門(mén)適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門(mén)適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





