[發(fā)明專利]光學(xué)感測(cè)裝置在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111128800.8 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN115881738A | 公開(公告)日: | 2023-03-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 萬瑋琳;劉侑宗;李淂裕 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 群創(chuàng)光電股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/146 | 分類號(hào): | H01L27/146;H10K39/34 |
| 代理公司: | 北京科龍寰宇知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11139 | 代理人: | 孫皓晨 |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣*** | 國(guó)省代碼: | 臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 光學(xué) 裝置 | ||
1.一種光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,包括:
一基板;
一光感測(cè)元件,設(shè)置于所述基板上;
一遮光層,設(shè)置于所述光感測(cè)元件上,包括一第一開孔重疊所述光感測(cè)元件;
一絕緣層,設(shè)置于所述遮光層上,包括一第二開孔重疊所述第一開孔;
一遮光元件,設(shè)置于所述第二開孔的一孔壁上;以及
一集光元件,設(shè)置于所述絕緣層上,以及重疊所述第二開孔。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,所述遮光元件包括一吸光材料。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,所述遮光元件包括一反射材料。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,所述遮光層與所述遮光元件包括相同的材料。
5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,所述遮光層與所述遮光元件包括不同的材料。
6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,至少一部分的所述集光元件位于所述第二開孔內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,于一剖面方向上,所述第一開孔具有一第一底部寬度,所述第二開孔具有一第二底部寬度,所述第一底部寬度小于所述第二底部寬度。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,于一剖面方向上,所述第二開孔具有一第二底部寬度,所述第二開孔具有一第二頂部寬度,所述第二底部寬度小于所述第二頂部寬度。
9.一種光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,包括:
一基板;
一光感測(cè)元件,設(shè)置于所述基板上;
一遮光層,設(shè)置于所述光感測(cè)元件上,包括一第一開孔重疊所述光感測(cè)元件;
一絕緣層,設(shè)置于所述遮光層上,包括一第二開孔重疊所述第一開孔;以及
一集光元件,設(shè)置于所述絕緣層上,至少一部分的所述集光元件位于所述第二開孔內(nèi);
其中,所述絕緣層的一第一折射率大于所述集光元件的一第二折射率。
10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,于一剖面方向上,所述第一開孔具有一第一底部寬度,所述第二開孔具有一第二底部寬度,所述第一底部寬度小于所述第二底部寬度。
11.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,于一剖面方向上,所述第二開孔具有一第二底部寬度,所述第二開孔具有一第二頂部寬度,所述第二底部寬度小于所述第二頂部寬度。
12.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)感測(cè)裝置,其特征在于,所述遮光層電性連接于所述光感測(cè)元件。
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- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





