[發明專利]薄膜晶體管的制作方法及顯示面板

在審

• 申請號: 202111121356.7
• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN113571420A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發明（設計）人: 劉紅林;康報虹
• 申請（專利權）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳中一聯合知識產權代理有限公司 44414
• 代理人: 汪海琴

本申請提供了一種薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，光刻膠圖形層包括部分保留區、完全保留區和完全去除區；去除與完全去除區對應的金屬層；去除與部分完全去除區對應的有源層，并預留有第一厚度；去除部分保留區的光刻膠圖形層；形成源漏電極和溝道區，并去除與完全去除區對應的剩余有源層。一種顯示面板，包括通過上述薄膜晶體管的制作方法制作而成的薄膜晶體管。本申請通過將完全去除區的有源層分兩次去除，且第二次去除工藝和溝道區的形成工藝同時進行，減少了該區域有源層的去除時間，提高了有源層的制作產能。

技術領域

本申請屬于顯示領域，更具體地說，是涉及一種薄膜晶體管的制作方法及顯示面板。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器是微電子技術與液晶顯示器技術巧妙結合的一種技術，其中薄膜晶體管作為像素的開關，控制著液晶的旋轉而呈現不同的色彩。薄膜晶體管的制作方法一般包括以下步驟：在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，光刻膠圖形層包括部分保留區、完全保留區和完全去除區，并在上述各層的基礎上采用合適的刻蝕方法形成源極、漏極和溝道區。

目前的薄膜晶體管制作工藝中，在進行第一次干法刻蝕時，會一次性將完全保留區的有源層去除，同時為了達到無殘余的目的，會對有源層進行過刻蝕工藝。過刻蝕會增加刻蝕時間，降低刻蝕產能。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種薄膜晶體管的制作方法，以解決現有技術中存在的采用一次性全刻蝕且過刻蝕的方式去除有源層導致浪費刻蝕時間的技術問題。

為實現上述目的，本申請采用的技術方案是：提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：

在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，所述光刻膠圖形層包括部分保留區、完全保留區和完全去除區；

去除與所述完全去除區對應的所述金屬層；

去除部分與所述完全去除區對應的所述有源層，并預留有第一厚度；

去除所述部分保留區的所述光刻膠圖形層；

形成源漏電極和溝道區，并去除與所述完全去除區對應的剩余所述有源層。

本申請提供的薄膜晶體管的制作方法的有益效果在于：本申請實施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過對與完全去除區對應的有源層，分兩次進行去除，第一次去除時預留有第一厚度，節約不少時間；而第二次去除與形成溝道區同時進行，則第二次去除無需浪費額外的時間，也即是與完全去除區對應的有源層去除實則是只用了第一次去除的時間，這相對于現有技術中采用過刻蝕的工藝，花費的時間減少了許多。此外，在形成溝道區的同時去除剩余的有源層，由于剩余的有源層控制在第一厚度范圍內，使得在第二次去除時不會損耗太多的柵極絕緣層，這相對現有技術能夠減少柵極絕緣層的損耗，也即是可以將柵極絕緣層的厚度設計得更薄，節約柵極絕緣層的材料成本，同時也節約柵極絕緣層的成膜時間，提升柵極絕緣層的產能。

可選的，所述第一厚度的范圍為100?-700?。

可選的，所述形成源漏電極和溝道區，并去除與所述完全去除區對應的剩余所述有源層包括以下步驟：

去除與所述部分保留區對應的所述金屬層，以形成源漏電極；

去除與所述部分保留區對應的部分所述有源層，以形成溝道區，并同時去除與所述完全去除區對應的剩余所述有源層。

可選的，所述去除所述部分保留區的所述光刻膠圖形層包括：

在去除與所述完全去除區對應的部分所述有源層之前，去除所述部分保留區的部分所述光刻膠圖形層；

在去除與所述完全去除區對應的部分所述有源層之后，去除所述部分保留區的剩余所述光刻膠圖形層。