[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制作方法及顯示面板

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202111121356.7
• 申請(qǐng)日: 2021-09-24
• 公開（公告）號(hào): CN113571420A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉紅林;康報(bào)虹
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 汪海琴

本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū)；去除與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的金屬層；去除與部分完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層，并預(yù)留有第一厚度；去除部分保留區(qū)的光刻膠圖形層；形成源漏電極和溝道區(qū)，并去除與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余有源層。一種顯示面板，包括通過上述薄膜晶體管的制作方法制作而成的薄膜晶體管。本申請(qǐng)通過將完全去除區(qū)的有源層分兩次去除，且第二次去除工藝和溝道區(qū)的形成工藝同時(shí)進(jìn)行，減少了該區(qū)域有源層的去除時(shí)間，提高了有源層的制作產(chǎn)能。

技術(shù)領(lǐng)域

本申請(qǐng)屬于顯示領(lǐng)域，更具體地說，是涉及一種薄膜晶體管的制作方法及顯示面板。

背景技術(shù)

薄膜晶體管液晶顯示器是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù)，其中薄膜晶體管作為像素的開關(guān)，控制著液晶的旋轉(zhuǎn)而呈現(xiàn)不同的色彩。薄膜晶體管的制作方法一般包括以下步驟：在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū)，并在上述各層的基礎(chǔ)上采用合適的刻蝕方法形成源極、漏極和溝道區(qū)。

目前的薄膜晶體管制作工藝中，在進(jìn)行第一次干法刻蝕時(shí)，會(huì)一次性將完全保留區(qū)的有源層去除，同時(shí)為了達(dá)到無殘余的目的，會(huì)對(duì)有源層進(jìn)行過刻蝕工藝。過刻蝕會(huì)增加刻蝕時(shí)間，降低刻蝕產(chǎn)能。

發(fā)明內(nèi)容

本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種薄膜晶體管的制作方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的采用一次性全刻蝕且過刻蝕的方式去除有源層導(dǎo)致浪費(fèi)刻蝕時(shí)間的技術(shù)問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案是：提供一種薄膜晶體管的制作方法，包括以下步驟：

在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，所述光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū)；

去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的所述金屬層；

去除部分與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的所述有源層，并預(yù)留有第一厚度；

去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層；

形成源漏電極和溝道區(qū)，并去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層。

本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋∧ぞw管的制作方法的有益效果在于：本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法，通過對(duì)與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層，分兩次進(jìn)行去除，第一次去除時(shí)預(yù)留有第一厚度，節(jié)約不少時(shí)間；而第二次去除與形成溝道區(qū)同時(shí)進(jìn)行，則第二次去除無需浪費(fèi)額外的時(shí)間，也即是與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層去除實(shí)則是只用了第一次去除的時(shí)間，這相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中采用過刻蝕的工藝，花費(fèi)的時(shí)間減少了許多。此外，在形成溝道區(qū)的同時(shí)去除剩余的有源層，由于剩余的有源層控制在第一厚度范圍內(nèi)，使得在第二次去除時(shí)不會(huì)損耗太多的柵極絕緣層，這相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)能夠減少柵極絕緣層的損耗，也即是可以將柵極絕緣層的厚度設(shè)計(jì)得更薄，節(jié)約柵極絕緣層的材料成本，同時(shí)也節(jié)約柵極絕緣層的成膜時(shí)間，提升柵極絕緣層的產(chǎn)能。

可選的，所述第一厚度的范圍為100?-700?。

可選的，所述形成源漏電極和溝道區(qū)，并去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層包括以下步驟：

去除與所述部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)的所述金屬層，以形成源漏電極；

去除與所述部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層，以形成溝道區(qū)，并同時(shí)去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層。

可選的，所述去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層包括：

在去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層之前，去除所述部分保留區(qū)的部分所述光刻膠圖形層；

在去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層之后，去除所述部分保留區(qū)的剩余所述光刻膠圖形層。