[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制作方法及顯示面板在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202111121356.7 | 申請(qǐng)日: | 2021-09-24 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113571420A | 公開(公告)日: | 2021-10-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 劉紅林;康報(bào)虹 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/336 | 分類號(hào): | H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司: | 深圳中一聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414 | 代理人: | 汪海琴 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)石巖街道石龍社區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 薄膜晶體管 制作方法 顯示 面板 | ||
本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N薄膜晶體管的制作方法,包括以下步驟:在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層,并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層,其中,光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū);去除與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的金屬層;去除與部分完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層,并預(yù)留有第一厚度;去除部分保留區(qū)的光刻膠圖形層;形成源漏電極和溝道區(qū),并去除與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余有源層。一種顯示面板,包括通過上述薄膜晶體管的制作方法制作而成的薄膜晶體管。本申請(qǐng)通過將完全去除區(qū)的有源層分兩次去除,且第二次去除工藝和溝道區(qū)的形成工藝同時(shí)進(jìn)行,減少了該區(qū)域有源層的去除時(shí)間,提高了有源層的制作產(chǎn)能。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請(qǐng)屬于顯示領(lǐng)域,更具體地說,是涉及一種薄膜晶體管的制作方法及顯示面板。
背景技術(shù)
薄膜晶體管液晶顯示器是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù),其中薄膜晶體管作為像素的開關(guān),控制著液晶的旋轉(zhuǎn)而呈現(xiàn)不同的色彩。薄膜晶體管的制作方法一般包括以下步驟:在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層,并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層,其中,光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū),并在上述各層的基礎(chǔ)上采用合適的刻蝕方法形成源極、漏極和溝道區(qū)。
目前的薄膜晶體管制作工藝中,在進(jìn)行第一次干法刻蝕時(shí),會(huì)一次性將完全保留區(qū)的有源層去除,同時(shí)為了達(dá)到無殘余的目的,會(huì)對(duì)有源層進(jìn)行過刻蝕工藝。過刻蝕會(huì)增加刻蝕時(shí)間,降低刻蝕產(chǎn)能。
發(fā)明內(nèi)容
本申請(qǐng)實(shí)施例的目的在于提供一種薄膜晶體管的制作方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的采用一次性全刻蝕且過刻蝕的方式去除有源層導(dǎo)致浪費(fèi)刻蝕時(shí)間的技術(shù)問題。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)采用的技術(shù)方案是:提供一種薄膜晶體管的制作方法,包括以下步驟:
在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層,并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層,其中,所述光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū);
去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的所述金屬層;
去除部分與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的所述有源層,并預(yù)留有第一厚度;
去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層;
形成源漏電極和溝道區(qū),并去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層。
本申請(qǐng)?zhí)峁┑谋∧ぞw管的制作方法的有益效果在于:本申請(qǐng)實(shí)施例提供的薄膜晶體管的制作方法,通過對(duì)與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層,分兩次進(jìn)行去除,第一次去除時(shí)預(yù)留有第一厚度,節(jié)約不少時(shí)間;而第二次去除與形成溝道區(qū)同時(shí)進(jìn)行,則第二次去除無需浪費(fèi)額外的時(shí)間,也即是與完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的有源層去除實(shí)則是只用了第一次去除的時(shí)間,這相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)中采用過刻蝕的工藝,花費(fèi)的時(shí)間減少了許多。此外,在形成溝道區(qū)的同時(shí)去除剩余的有源層,由于剩余的有源層控制在第一厚度范圍內(nèi),使得在第二次去除時(shí)不會(huì)損耗太多的柵極絕緣層,這相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)能夠減少柵極絕緣層的損耗,也即是可以將柵極絕緣層的厚度設(shè)計(jì)得更薄,節(jié)約柵極絕緣層的材料成本,同時(shí)也節(jié)約柵極絕緣層的成膜時(shí)間,提升柵極絕緣層的產(chǎn)能。
可選的,所述第一厚度的范圍為100?-700?。
可選的,所述形成源漏電極和溝道區(qū),并去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層包括以下步驟:
去除與所述部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)的所述金屬層,以形成源漏電極;
去除與所述部分保留區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層,以形成溝道區(qū),并同時(shí)去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的剩余所述有源層。
可選的,所述去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層包括:
在去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層之前,去除所述部分保留區(qū)的部分所述光刻膠圖形層;
在去除與所述完全去除區(qū)對(duì)應(yīng)的部分所述有源層之后,去除所述部分保留區(qū)的剩余所述光刻膠圖形層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





