[發(fā)明專利]薄膜晶體管的制作方法及顯示面板

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202111121356.7
• 申請日: 2021-09-24
• 公開（公告）號: CN113571420A
• 公開（公告）日: 2021-10-29
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉紅林;康報虹
• 申請（專利權(quán)）人: 惠科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L27/12
• 代理公司: 深圳中一聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44414
• 代理人: 汪海琴

1.薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，所述光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū)；

去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述金屬層；

去除部分與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述有源層，并預(yù)留有第一厚度；

去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層；

形成源漏電極和溝道區(qū)，并去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的剩余所述有源層。

2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述第一厚度的范圍為100?-700?。

3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述形成源漏電極和溝道區(qū)，并去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的剩余所述有源層包括以下步驟：

去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的所述金屬層，以形成源漏電極；

去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的部分所述有源層，以形成溝道區(qū)，并同時去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的剩余所述有源層。

4.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層包括：

在去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的部分所述有源層之前，去除所述部分保留區(qū)的部分所述光刻膠圖形層；

在去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的部分所述有源層之后，去除所述部分保留區(qū)的剩余所述光刻膠圖形層。

5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，所述去除所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層包括：

在去除所述完全去除區(qū)的部分所述有源層的同時，去除所述部分保留區(qū)的部分所述光刻膠圖形層；

在去除所述完全去除區(qū)的部分所述有源層之后，去除所述部分保留區(qū)的剩余所述光刻膠圖形層。

6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝去除部分與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述有源層，并預(yù)留有第一厚度。

7.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，通過干法刻蝕工藝同時去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的部分所述有源層及與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的剩余所述有源層。

8.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，通過濕法刻蝕工藝去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述金屬層；

通過濕法刻蝕工藝去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的所述金屬層。

9.薄膜晶體管的制作方法，其特征在于，包括以下步驟：

在基板上依次沉積柵極層、柵極絕緣層、有源層、金屬層及光刻膠層，并通過曝光、顯影在所述金屬層上形成光刻膠圖形層，其中，所述光刻膠圖形層包括部分保留區(qū)、完全保留區(qū)和完全去除區(qū)；

通過濕法刻蝕工藝去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述金屬層；

通過干法刻蝕工藝去除部分與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的所述有源層，并預(yù)留有第一厚度，且同時去除部分所述部分保留區(qū)的所述光刻膠圖形層；

通過灰化工藝去除所述部分保留區(qū)的剩余所述光刻膠圖形層；

通過濕法刻蝕工藝去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的所述金屬層，以形成源漏電極；

通過干法刻蝕工藝去除與所述部分保留區(qū)對應(yīng)的部分所述有源層，以形成溝道區(qū)，并同時去除與所述完全去除區(qū)對應(yīng)的剩余所述有源層。

10.顯示面板，其特征在于，包括薄膜晶體管，所述薄膜晶體管使用如權(quán)利要求1至9任一項所述的薄膜晶體管的制作方法制得。