[發明專利]光敏型化合物、由其制備的抗溶劑型空穴傳輸層材料及其應用

有效

• 申請號: 202111115680.8
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113861050B
• 公開（公告）日: 2023-08-18
• 發明（設計）人: 易袁秋強;蘇文明;劉揚
• 申請（專利權）人: 材料科學姑蘇實驗室;上海銳爾發數碼科技有限公司
• 主分類號: C07C217/92
• 分類號: C07C217/92;C07C213/06;H10K50/15;H10K50/115;H10K85/10;H10K85/60;C09D165/00;C09D7/63
• 代理公司: 蘇州市中南偉業知識產權代理事務所(普通合伙) 32257
• 代理人: 蘇張林

本發明公開了一類含有二苯甲酮基與三芳基胺基組合的光敏型小分子空穴傳輸材料，該類材料具有與量子點發光材料匹配的合適能級與遷移率，其自身就可以作為QLED的空穴傳輸層材料，器件性能與基于TFB的器件接近。本發明還提供了所述光敏型小分子空穴傳輸材料的制備方法，以及由其制備的抗溶劑型空穴傳輸層材料及其應用。本發明的光敏型空穴傳輸材料與TFB制備的交聯型空穴傳輸層，有效地克服了聚合物空穴傳輸材料TFB的不抗溶劑性，實現了空穴傳輸層100％的抗溶劑性，可以有效避免層間侵蝕問題。

技術領域

本發明涉及顯示技術領域，具體涉及一種光敏型化合物、由其制備的抗溶劑型空穴傳輸層材料及其應用。

背景技術

量子點發光二極管(Quantum-Dots?Light?Emitting?Diode,簡稱QLED)因其具有窄的電致發光光譜、高的色純度及廣色域且可全溶液法印刷制備輕薄、柔性顯示器件等諸多優勢，被廣泛認為是印刷顯示技術未來的主要研究方向，因此也備受各大顯示面板廠商的關注。

目前，QLED采用經典的主要由載流子傳輸層和量子點發光層構成的三明治器件結構。因此，載流子傳輸層，尤其是空穴傳輸層，對器件的發光效率和壽命有著至關重要的影響。對于溶液法制備的QLED器件，未來大面積噴墨印刷制備大尺寸QLED是行業的發展趨勢。噴墨印刷制備QLED器件，要求上層溶液對下層薄膜不能產生侵蝕或破壞，這就要求下方功能層具有良好的抗溶劑性或正交溶劑性。傳統聚合物或者三芳基胺類小分子空穴傳輸材料，均不具有普適的抗溶劑性。因此，開發具有高度抗溶劑型的空穴傳輸層材料，對于噴墨印刷制備高性能的QLED器件尤為關鍵。

發明內容

本發明要解決的技術問題是提供一種小分子光敏型化合物，其與傳統的聚合物空穴傳輸材料TFB共混，在紫外光或紫外光和加熱作用協同下，可以制備抗溶劑型的空穴傳輸層，能夠有效地避免QLED器件發生層間侵蝕問題，形成更加穩定的器件界面。

為了解決上述技術問題，本發明提供了如下的技術方案：

本發明提供了一種光敏型化合物，具有如下所示的結構式：

其中，Ar₁選自以下結構中的一種：

Ar₂選自以下結構中的一種：

R₁、R₂、R₃、L₁、L₂、L₃獨立地選自C₁-C₆₀的烷基、C₁-C₆₀含雜原子飽和烷基、C₁-C₆₀芳基和C₁-C₆₀雜芳基中的一種。

進一步地，R₁、R₂、R₃、L₁、L₂、L₃獨立地選自甲基、叔丁基和苯基中的一種。

進一步地，所述光敏型化合物為下述化合物中的一種：

本發明還提供了所述的光敏型化合物的制備方法，包括以下步驟：

S1.保護氣氛下，使第一化合物、第二化合物在三(二亞芐基丙酮)二鈀、三叔丁基膦四氟硼酸鹽和NaO^tBu的催化下于溶劑中發生反應；反應結束后，收集并純化產物，得到第一中間體；

S2.保護氣氛下，使第一中間體與BBr₃于溶劑中發生反應；反應結束后，收集并純化產物，得到第二中間體；