[發明專利]存儲器件的制作方法

在審

• 申請號: 202111115386.7
• 申請日: 2021-09-23
• 公開（公告）號: CN113823566A
• 公開（公告）日: 2021-12-21
• 發明（設計）人: 龔風叢;曹開瑋
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/788;H01L27/11521
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 田婷

1.一種存儲器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供襯底，其上表面一側預設有共用源區、位于所述共用源區兩側的第一漏區和第二漏區；

在所述襯底上形成柵極絕緣層，所述柵極絕緣層中形成有暴露出所述襯底的第一接觸窗口和第二接觸窗口，所述第一接觸窗口位于所述共用源區和所述第一漏區之間，所述第二接觸窗口位于所述共用源區和所述第二漏區之間；

在所述第一漏區和所述第二漏區之間形成覆蓋所述襯底和所述柵極絕緣層的浮柵材料層；

刻蝕所述浮柵材料層，以去除所述浮柵材料層位于所述第一接觸窗口與所述第一漏區之間的部分區域以及位于所述第二接觸窗口與所述第二漏區之間的部分區域；

執行氧化工藝，使所述浮柵材料層位于所述第一漏區一側超出所述第一接觸窗口的部分被氧化，以及所述浮柵材料層位于所述第二漏區一側超出所述第二接觸窗口的部分被氧化，形成側墻氧化層；

去除所述側墻氧化層以及位于所述浮柵材料層覆蓋范圍以外的所述柵極絕緣層。

2.如權利要求1所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，形成覆蓋所述襯底和所述柵極絕緣層的浮柵材料層之后，還包括：

形成隔離層，所述隔離層覆蓋所述浮柵材料層；

刻蝕所述隔離層，所述隔離層的刻蝕區域與所述浮柵材料層的刻蝕區域相同。

3.如權利要求1所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，執行氧化工藝采用快速熱氧化方法或原位水蒸氣氧化方法。

4.如權利要求2所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，采用磷酸去除所述隔離層，采用氫氟酸去除所述側墻氧化層以及位于所述浮柵材料層覆蓋范圍以外的所述柵極絕緣層。

5.如權利要求1所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，提供所述襯底包括：

在所述襯底中摻雜第二摻雜類型的離子形成阱區；在所述阱區中摻雜第一摻雜類型的離子形成摻雜區，所述摻雜區從所述阱區內部延伸至所述襯底的上表面，所述共用源區和所述第一漏區和所述第二漏區均形成于所述摻雜區的頂部。

6.如權利要求5所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，在形成所述柵極絕緣層之前，還包括在所述共用源區和所述第一漏區之間之間的襯底中形成第一溝槽，并在所述共用源區和所述第二漏區之間的襯底中形成第二溝槽；所述第一接觸窗口位于所述第一漏區和所述第一溝槽之間，所述第二接觸窗口位于所述第二漏區和所述第二溝槽之間。

7.如權利要求6所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，在形成所述柵極絕緣層和所述浮柵材料層之后，所述柵極絕緣層還覆蓋所述第一溝槽和所述第二溝槽的內表面，所述浮柵材料層覆蓋所述柵極絕緣層并填充所述第一溝槽和所述第二溝槽。

8.如權利要求6所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，所述第一溝槽的深度和所述第二溝槽的深度均大于所述摻雜區的深度。

9.如權利要求1至8任意一項所述的存儲器件的制作方法，其特征在于，去除所述側墻氧化層以及位于氧化后的所述浮柵材料層覆蓋范圍以外的所述柵極絕緣層之后，還包括：

形成柵間介質層，所述柵間介質層覆蓋所述浮柵材料層的上表面和側表面，還覆蓋所述第一接觸窗口與所述第一漏區之間的襯底上表面，且還覆蓋所述第二接觸窗口與所述第二漏區之間的襯底上表面；

形成控制柵材料層，所述控制柵材料層覆蓋所述柵間介質層。