[發(fā)明專利]一種LED芯片及其制備方法和LED顯示模塊制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202111111332.3 | 申請日: | 2021-09-18 |
| 公開(公告)號: | CN113948502A | 公開(公告)日: | 2022-01-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 張世誠;張金剛 | 申請(專利權)人: | 深圳市洲明科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/075 | 分類號: | H01L25/075;H01L33/00;H01L33/62 |
| 代理公司: | 深圳市博銳專利事務所 44275 | 代理人: | 歐陽燕明 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 led 芯片 及其 制備 方法 顯示 模塊 | ||
1.一種LED芯片,其特征在于,包括發(fā)光層、第一電極和基板;
所述發(fā)光層的一側與所述第一電極的一端連接,所述第一電極的另一端連接所述基板的一側;
所述基板的另一側設置有第二電極。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種LED芯片,其特征在于,還包括保護層;
所述保護層設置在所述發(fā)光層遠離所述基板的一側。
3.一種LED芯片制備方法,其特征在于,包括步驟:
在初始LED芯片的第一電極上焊接基板;
在所述基板遠離所述第一電極的一側連接第二電極。
4.根據(jù)權利要求3所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述在初始LED芯片的第一電極上焊接基板之后還包括:
剝離所述初始LED芯片的襯底層,暴露發(fā)光層;
在所述發(fā)光層上鍍上預設厚度的保護層。
5.根據(jù)權利要求3所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述在初始LED芯片的第一電極上焊接基板之前還包括:
在所述第一電極上植金屬球,形成所述初始LED芯片的焊盤;
在初始LED芯片的第一電極上焊接基板具體為:
在所述焊盤上焊接所述基板。
6.根據(jù)權利要求3所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述在LED芯片的第一電極上焊接基板包括:
在初始LED芯片的第一電極上焊接BT樹脂基板或玻璃材質基板。
7.根據(jù)權利要求3所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述在初始LED芯片的第一電極上焊接基板具體為:
在初始LED芯片的第一電極上通過共晶焊、激光焊或高溫回流焊焊接所述基板。
8.根據(jù)權利要求4所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述剝離所述初始LED芯片的襯底層包括:
通過激光剝離所述初始LED芯片的襯底層。
9.根據(jù)權利要求4所述的一種LED芯片制備方法,其特征在于,所述在所述發(fā)光層上鍍上預設厚度的保護層包括:
在所述發(fā)光層上鍍上預設厚度的二氧化硅。
10.一種LED顯示模塊制備方法,其特征在于,包括步驟:
將至少一個的LED芯片的第二電極連接到PCB基板的燈面上;
在LED芯片的間隙中涂覆遮擋材料;
封裝設置有所述LED芯片的所述PCB基板,得到LED顯示模塊。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內的類型的器件,例如構成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





